256‑ГБ DDR5 RDIMM от SK hynix — первые в отрасли модули на 32‑Гбит микросхемах, сертифицированные для серверных процессоров Intel Xeon 6

sk hynix,ddr5 rdimm,intel xeon 6,серверная память,память для ии,256 гб

SK hynix первой в отрасли получила сертификацию Intel для своей 256 ГБ DDR5 RDIMM памяти на процессорах Xeon 6. Новые модули на базе 32 Гбит чипов 5-го поколения 10 нм обеспечивают до 16% более высокую скорость инференса и на 18% сниженное энергопотребление, отвечая растущему спросу в сегменте ИИ.

Память SK hynix объемом 256 ГБ DDR5 RDIMM успешно прошла сертификацию на серверных процессорах Intel Xeon 6 — первое в индустрии достижение.

256 ГБ DDR5 RDIMM на базе технологии 32 Гбит 5-го поколения 10 нм полностью сертифицированы для процессоров Intel Xeon 6

В то время как дефицит памяти и ограничения поставок продолжают сказываться на потребительском сегменте, сегмент искусственного интеллекта остается приоритетным для производителей памяти. SK hynix стала первой компанией, чье высокоемкое решение 256 ГБ DDR5 RDIMM получило сертификацию для серверной платформы Intel Xeon 6.

Это объявление сделано через год после выпуска 128-гигабайтного модуля памяти на базе 32-гигабитных чипов, который был валидирован в январе 2025 года. По данным SK hynix, новое решение обеспечивает на 16% более высокую скорость инференса и на 18% сниженное энергопотребление по сравнению с 256-гигабитными продуктами предыдущего поколения на базе 16-гигабитных DRAM 1a. Ниже приводится полный пресс-релиз:

Пресс-релиз: SK hynix объявила сегодня, что первой в отрасли завершила процесс сертификации Intel Data Center для применения 256 ГБ DDR5 RDIMM — высокоемкого серверного модуля на базе 32-гигабитных DRAM 5-го поколения 10-нм класса (1b) — на платформе Intel Xeon 6.

256‑ГБ DDR5 RDIMM от SK hynix — первые в отрасли модули на 32‑Гбит микросхемах, сертифицированные для серверных процессоров Intel Xeon 6

Будучи сертифицированным для систем/платформ Intel Data Center, модуль 256 ГБ DDR5 RDIMM прошел обширное тестирование и строгую валидацию в лаборатории передовых разработок центров обработки данных Intel. Теперь это первый в отрасли серверный модуль, подтвержденный на надежность производительности, совместимость и качество при работе с процессорами Intel Xeon. Ранее, в январе этого года, SK hynix получила аналогичное подтверждение для своего 256-гигабитного продукта на базе 16-гигабитных чипов 4-го поколения 10-нм класса (1a).

Став первой в отрасли компанией, подтвердившей совместимость с новейшей серверной платформой Intel, SK hynix демонстрирует технологическое лидерство в области высокоемких модулей DDR5. Основываясь на этом, компания расширит сотрудничество с крупнейшими мировыми операторами центров обработки данных и продолжит лидировать на рынке памяти нового поколения, отвечая на стремительно растущий спрос со стороны серверных клиентов.

«Теперь мы можем быстрее реагировать на потребности клиентов, укрепляя наше лидерство на рынке серверной DDR5 DRAM. Как создатель комплексных решений для ИИ-памяти, мы будем активно удовлетворять растущий спрос на высокопроизводительные, энергоэффективные и высокоемкие решения для дальнейшего повышения удовлетворенности клиентов», — заявил Сангквон Ли, руководитель отдела планирования и внедрения продуктов DRAM в SK hynix.

В новой инфраструктурной среде, ориентированной на ИИ, память стала критически важным фактором производительности. По мере того как модели ИИ-инференса эволюционируют от генерации простых ответов к выполнению сложных логических процессов, объем данных, которые необходимо обрабатывать в реальном времени, растет экспоненциально. Для быстрой и надежной обработки этих огромных массивов данных высокоемкая и высокопроизводительная память стала незаменимой, что стимулирует резкий рост рыночного спроса.

256‑ГБ DDR5 RDIMM от SK hynix — первые в отрасли модули на 32‑Гбит микросхемах, сертифицированные для серверных процессоров Intel Xeon 6

Компания прогнозирует, что ее новейший продукт станет идеальным решением для удовлетворения этого растущего спроса. Серверы, оснащенные новым модулем, демонстрируют до 16% более высокую производительность инференса по сравнению с серверами, использующими 128-гигабайтные продукты на базе 32-гигабитных чипов. Кроме того, за счет использования 32-гигабитных чипов DRAM, конструкция обеспечивает примерно на 18% меньшее энергопотребление по сравнению с предыдущими 256-гигабайтными продуктами на базе 16-гигабитных DRAM 1a. Благодаря этой улучшенной энергоэффективности и выдающейся производительности на ватт2 компания ожидает высокий интерес со стороны клиентов центров обработки данных.