Бывшие сотрудники Samsung стремительно превращаются в технологическое сито, позволяя китайской компании CXMT получать доступ к критически важным полупроводниковым технологиям посредством серии своевременных утечек, связанных с интеллектуальной собственностью.
В качестве примера можно привести случай, когда всего через несколько месяцев после того, как бывший сотрудник Samsung получил «самый суровый в истории» уголовный приговор за утечку секретов 18-нм чипов в Китай, ряд бывших руководителей и сотрудников Samsung были замешаны в утечке технологии 10-нм DRAM китайской компании CXMT.
Ряд бывших руководителей и сотрудников Samsung теперь обвиняются в незаконном оснащении китайской CXMT коммерческими тайнами, связанными с технологией 10-нм DRAM
Как сообщает южнокорейское издание The Elec, Отдел расследования преступлений в сфере информационных технологий Центральной районной прокуратуры Сеула арестовал действующего директора китайской компании Changshin Memory Technology (CXMT) за нарушение правил страны в соответствии с Законом о защите промышленных технологий.
Важно отметить, что директор CXMT является бывшим сотрудником Samsung, который, как сообщается, сыграл ключевую роль в разработке технологии 10-нм DRAM компании CXMT. Отдел также арестовал еще 4 человек, которые в настоящее время работают в CXMT.
Прокуратура утверждает, что CXMT разработала тщательно продуманный план по ускорению своего 10-нм процесса DRAM путем найма ключевых специалистов. Следует отметить, что, в отличие от 10-нм техпроцесса, используемого в традиционном производстве чипов, 10-нм процесс DRAM является очень конкурентным: SK hynix только к концу 2024 года начнет массовое производство по своему 10-нм DRAM процессу шестого поколения. Сама Samsung инвестировала 1,6 триллиона вон (1,08 миллиарда долларов) в течение 5 лет для разработки своей 10-нм технологии DRAM.
Южнокорейская прокуратура подробно отметила:
“CXMT, первая и единственная в Китае компания по производству DRAM-полупроводников, в которую местные власти Китая инвестировали 2,6 триллиона вон, мошенническим путем использовала лучшую в мире отечественную технологию производства полупроводников на протяжении всего процесса разработки”.
В ходе расследования прокуратура обнаружила, что один бывший сотрудник Samsung “слил сотни этапов технологической информации, исправил и проверил ее”, что привело к первому успешному массовому производству DRAM в Китае в 2023 году. Расследование также выявило, что CXMT использовала подставную компанию для привлечения и найма бывших сотрудников Samsung.
Еще один бывший сотрудник Samsung, перешедший в CXMT в 2016 году, передал китайскому гиганту памяти обширную информацию о технологии DRAM, написанную от руки, согласно недавнему заявлению прокуратуры.
В заключение прокуратура оценивает ущерб конкурентному положению Южной Кореи в триллионы вон (миллиарды долларов) в результате этих громких утечек.
Это происходит на фоне того, что в феврале 2025 года Центральный районный суд Южной Кореи приговорил бывшего менеджера команды Samsung к 7 годам тюремного заключения за утечку коммерческих тайн, связанных с 18-нм технологией DRAM, китайской компании CXMT.
Следует отметить, что CXMT является крупнейшим производителем памяти в Китае, включая такие передовые продукты, как DDR5 и HBM3. По состоянию на конец 2025 года компания могла производить до 280 000 пластин в месяц, что соответствует примерно 15 процентам мирового производства DRAM.
(*) Имейте ввиду, редакции некоторых западных изданий придерживаются предвзятых взглядов в освящении некоторых новостей, связанных с Россией. Кроме того, IT издания часто пропагандирует леволиберальные и антриреспубликанские взгляды в освящении некоторых новостей.
Автор – Rohail Saleem
