В своей «Дорожной карте развития полупроводниковых технологий 2026» Институт инженеров полупроводниковой техники представил прогноз развития кремниевых технологий на ближайшие 15 лет. В то время как Samsung недавно анонсировала первый в мире 2-нм чипсет GAA, Exynos 2600, к 2040 году, согласно прогнозам, полупроводниковые схемы достигнут 0,2 нм, что ознаменует вступление в эру ангстремов (A). Однако для достижения результатов, которые ожидаются через полтора десятилетия, потребуется значительный прогресс, а на пути к созданию пластин с размерами менее 1 нм стоит множество препятствий.
Дополнительные прогнозы развития полупроводниковых технологий включают увеличение количества слоев NAND-памяти с 321 до 2000, а также производительность полупроводников для ИИ до десятков триллионов операций в секунду
В отчете ETNews говорится, что цель дорожной карты — «содействовать укреплению долгосрочных полупроводниковых технологий и конкурентоспособности отрасли, активизации академических исследований и разработке стратегий развития человеческих ресурсов». Дорожная карта, представленная Институтом инженеров полупроводниковой техники, охватывает девять ключевых технологий: полупроводниковые устройства и процессы, полупроводники для искусственного интеллекта, полупроводники для оптического соединения, полупроводниковые датчики для беспроводного соединения, полупроводники для проводного соединения, PI M, упаковка и квантовые вычисления.
Самая передовая литография в настоящее время принадлежит 2-нм технологии Gate-All-Around (GAA) от Samsung, но, по сообщениям, корейский гигант запланировал улучшенные варианты этого производственного процесса. Например, он завершил базовый дизайн своего 2-нм GAA узла второго поколения и, как сообщается, внедрит свой SF2P+, который является 2-нм технологией GAA третьего поколения, в течение двух лет. По оценкам, к 2040 году в 0,2-нм процессе будет использоваться транзисторная структура поколения CFET (Complementary Field Effect Transistor) и монолитная 3D-конструкция.
Samsung, которая в настоящее время является лидером в Корее в области производства полупроводников следующего поколения, также, как говорят, сформировала команду для начала исследований по разработке 1-нм чипов, с целью начать массовое производство в 2029 году. Эти улучшения, как говорят, будут применяться не только к мобильным SoC, но и к DRAM, схема памяти которой уменьшится с 11 нм до 6 нм, а High-Bandwidth Memory, как сообщается, продвинется с 12 слоев и пропускной способности 2 ТБ/с до 30 слоев и пропускной способности 128 ТБ/с.
Что касается NAND, где SK hynix разработала 321-слойную технологию QLC, достижения в области полупроводников позволят создать 2000 слоев QLC NAND. Наконец, у нас есть процессоры AI, которые могут достигать 10 TOPS (триллионов операций в секунду), но в течение полутора десятилетий, как говорится в отчете, у нас могут быть чипы, которые могут генерировать 1000 TOPS в секунду для обучения и 100 TOPS для логического вывода.
(*) Имейте ввиду: редакции некоторых изданий могут придерживаться предвзятых взглядов в освящении новостей.
8/7
Автор – Omar Sohail
