Компания SAIMEMORY, дочернее предприятие SoftBank Corp, в партнерстве с гигантом в области чипов Intel, объявила о том, что Японская организация по развитию новых энергий и промышленных технологий (NEDO) выбрала проект по разработке памяти ZAM нового поколения для получения государственных субсидий, которые могут покрыть значительную часть затрат на разработку проекта. ZAM (Z-Angle Memory) — это потенциальная альтернатива существующей технологии памяти для ИИ следующего поколения, разработанная как энергоэффективная HBM (память с высокой пропускной способностью). Она была выбрана в рамках Проекта NEDO по развитию инфраструктуры Post-5G.
Эта новость является последним этапом в развитии проекта, сформированного при поддержке исследований правительства США, внутренних НИОКР Intel и усилий SoftBank в области инфраструктуры ИИ. Он опирается на ранние достижения в области укладки памяти и межсоединений, полученные в результате исследований под руководством США, при этом Intel разрабатывает ключевые методы укладки и склеивания DRAM, лежащие в основе того, что станет ZAM.
Позже SoftBank учредила SAIMEMORY в 2024 году для коммерциализации таких архитектур, перейдя к производству памяти, а не полагаясь на существующих поставщиков. Intel присоединилась в качестве технического партнера, а RIKEN оказывает поддержку в оценке и системной интеграции.
В начале 2025 года мы сообщали о сотрудничестве Intel и SoftBank по разработке энергоэффективной альтернативы HBM для центров обработки данных ИИ через дочернюю компанию SoftBank, SAIMEMORY. Недавно мы также освещали участие Intel в совместной разработке ZAM — концепции вертикально уложенной памяти, которая обещает более высокую емкость, большую пропускную способность и значительно меньшее энергопотребление по сравнению с традиционными подходами.
Движущей силой всего этого является растущее ограничение в системах ИИ: память. Современные рабочие нагрузки ИИ требуют огромной пропускной способности данных между процессорами и памятью. В то время как ГП быстро совершенствовались, системы памяти с трудом успевали за этим темпом. Стандартным решением на сегодняшний день является память с высокой пропускной способностью (HBM) — форма DRAM (динамическая память с произвольным доступом), которая вертикально уложена и тесно интегрирована с процессорами для обеспечения высокой скорости.
Однако HBM имеет свои недостатки: сложное, дорогостоящее производство; зависимость от точной укладки и склеивания кристаллов; и ограниченные поставки, доминируемые несколькими производителями.
ZAM, сама являясь формой DRAM, переосмысливает структуру. Вместо традиционного подхода с укладкой и склеиванием, используемого в HBM, ZAM предлагает вертикальную архитектуру памяти с иным пространственным расположением и бесконтактным, или «беспроводным», соединением между слоями памяти, тем самым улучшая тепловые характеристики за счет уменьшения физических ограничений.
SAIMEMORY заявляет, что эта конструкция может обеспечить более высокую эффективную плотность, увеличенную пропускную способность и примерно на 40% меньшее энергопотребление по сравнению с традиционной HBM.
Если ZAM окажется успешной, она сможет напрямую конкурировать с HBM на огромном и быстрорастущем рынке, снизить энергопотребление в центрах обработки данных ИИ для существенной экономии средств и ослабить ограничения поставок за счет более масштабируемого подхода к производству.
Однако технология все еще находится на ранней стадии прототипа, а путь к массовому производству намечен примерно на 2029 год. Исторически сложилось так, что многие концепции памяти «нового поколения» не вышли за рамки лабораторных демонстраций, что делает реализацию ключевой неопределенностью.
Ожидается, что программа при поддержке NEDO продлится около 3,5 лет, при этом SAIMEMORY планирует инвестировать около 8 миллиардов иен (5 миллионов долларов США) до 2027 финансового года для разработки рабочих прототипов. Более долгосрочная цель — наладить массовое производство примерно к 2029 году.
Это помещает ZAM в цикл памяти следующего поколения, а не в качестве немедленной замены для текущих развертываний HBM. Тем временем действующие производители памяти продолжают развивать HBM, увеличивая количество слоев и повышая эффективность.
Поддержка NEDO знаменует собой намерение японского правительства вновь войти на рынок чипов и полупроводников — на фоне стремительного роста спроса на ИИ, — который оно когда-то доминировало, пока производители из Тайваня и Южной Кореи не заняли долю рынка.
«Мы рассматриваем выбор этого Проекта в рамках программы NEDO как важную веху в демонстрации миру японской технологии памяти нового поколения. ZAM представляет собой инновационную архитектуру, которая обеспечивает как производительность, так и энергоэффективность, необходимые в эпоху ИИ и в преддверии ускоряющегося суперцикла ИИ. Благодаря сотрудничеству с Intel, RIKEN и нашими инвесторами, а также другими отечественными и международными партнерами, мы стремимся внести свой вклад в укрепление глобальной конкурентоспособности полупроводниковой промышленности Японии», — заявил Хидэя Ямагути, президент и генеральный директор SAIMEMORY.
Программа разработки SAIMEMORY поддерживается консорциумом, в который входят SoftBank, Fujitsu, RIKEN и Японский банк развития, наряду с государственной поддержкой через NEDO.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Etiido Uko
