На этой неделе на конференции по литографии и формированию рисунка следующего поколения (NGL 2026) Samsung Foundry представила обновленную дорожную карту производственных технологий, раскрыв серьезные изменения по сравнению с дорожной картой 2024 года, сообщает ZDNet Korea. Вместо того чтобы форсировать выход на рынок своего узла SF1.4 (класс 1,4 нм), Samsung сосредоточится на отработке производственных процессов SF2 (класс 2 нм) в ближайшие три года. А начиная с производственного узла SF1A (класс 1 нм) Samsung намерена внедрить инструменты EUV-литографии с высокой числовой апертурой (High-NA EUV) — это первое подтверждение компанией такого плана.
Прежде чем перейти к узлу класса 10 ангстрем (или 1 нм) около 2030 года, Samsung доработает производственные технологии серии SF2 (включая SF2P, SF2X, SF2A и SF2Z с питанием от тыльной стороны пластины) и представит свой процесс SF1.4 в 2029 году.
Перенос SF1.4 с 2027 на 2029 год указывает на то, что компания замедляет темпы внедрения передовых технологий, чтобы сосредоточить ресурсы на повышении коммерческой конкурентоспособности семейства SF2 с точки зрения выхода годных изделий и объемов. Учитывая, что Samsung заключила долгосрочное соглашение о поставках с Tesla на поставку процессоров AI5 и AI6 до 2033 года, приоритетом компании является обеспечение удовлетворенности своего крупного заказчика.
Еще одна причина длительного жизненного цикла SF2 — сообщаемый план компании наконец внедрить пленки (pellicles) для EUV-фотошаблонов, что меняет привычные процедуры в Samsung и, вероятно, вынуждает пересмотреть технологические рецепты для некоторых будущих узлов.
Примечательно, что, как сообщается, 1-нм узел Samsung будет сосуществовать с SF1.4+ — улучшенной версией SF1.4, использующей необычную для Samsung номенклатуру. Такой подход указывает на то, что у компании будут как «инновационный» 1-нм процесс с использованием High-NA EUV-литографии, так и технология, основанная на проверенных потоках и материалах Low-NA EUV.
Хотя Samsung приобрела ASML Twinscan EXE:5000 — сканер EUV-литографии с проекционной оптикой с числовой апертурой 0,55 — и использует его в исследовательских целях уже более года, компания не спешит внедрять High-NA EUV-литографию для своих технологий классов 2 нм и 1,4 нм. Samsung планирует задействовать такой инструмент для своего 1-нм процесса только где-то в 2030 году.
«Мы хотели применить High-NA EUV в массовом производстве на таких узлах, как 2 нм и 1,4 нм, но технология все еще требует дальнейших улучшений», — заявил на конференции Чан Мин Пак, мастер-вице-президент по технологиям Samsung Electronics. «Мы считаем, что High-NA EUV станет необходимой начиная с A10 и ниже, и мы ведем совместные разработки с различными партнерами».
Для производителей микросхем главная проблема инструментов High-NA EUV от ASML — значительно более высокая стоимость по сравнению с используемыми сегодня системами Low-NA EUV, что сильно увеличивает затраты на фабрики и может повлиять на стоимость чипов. Кроме того, сканеры High-NA EUV имеют меньшее поле экспонирования, что может потребовать сшивки кристаллов (die stitching) для больших чипов и усложнить проектирование, что в значительной степени снижает их преимущество в производительности перед обычными системами Low-NA EUV, основанное на уменьшении необходимости использования мультипаттернинга.
Кроме того, High-NA EUV требует улучшенных фоторезистов, других масок, пленок, метрологии, контроля и вычислительной литографии — это лишь некоторые из требований. В результате производители микросхем должны определить, когда им имеет смысл использовать дорогой однократный паттернинг на инструментах High-NA EUV, а когда можно обойтись все более зрелым мультипаттернингом на 0,33-NA EUV. Например, Intel намерена использовать инструменты High-NA EUV с некоторыми из своих технологий 14A, тогда как TSMC рассматривает High-NA EUV-литографию как технологию для 2030-х годов.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Anton Shilov
