Компания Samsung представила свой первый физический макет памяти HBM5 на выставке Computex 2026 в Тайбэе. Журналисты Tom’s Hardware посетили стенд, чтобы увидеть сочетание памяти для ИИ восьмого поколения с новой внутрикорпусной структурой охлаждения, которую Samsung называет Heat Path Block, или HPB. Буквально на прошлой неделе конкурент SK hynix представил собственную тепловую архитектуру iHBM, что означает, что обе компании теперь сосредоточены на одном и том же тепловом узком месте в интерфейсе «кристалл-к-кристаллу» (die-to-die interface), соединяющем память с процессором. Samsung также подтвердила, что будет производить базовый кристалл HBM5 на собственном 2-нм техпроцессе, по сравнению с 4-нм узлом, используемым для HBM4 и HBM4E. Вместо того чтобы позволять теплу выходить наружу через основные кристаллы, HPB создает отдельный набор тепловых столбов, которые отводят тепло изнутри стека и направляют его к рассеивателю, расположенному над корпусом или рядом с ним, как сообщили в Samsung на Computex. Эта конструкция фокусируется на уровне PHY D2D — высокоскоростном канале связи между базовым кристаллом HBM и GPU, где плотность мощности и температура экспоненциально возрастают по мере увеличения высоты стеков и их ускорения. Samsung заявила, что уже внедрила и протестировала HPB на HBM4E — поколении, первые 12-слойные образцы которого она начала отгружать в прошлом месяце со скоростью 14 Гбит/с с возможностью масштабирования до 16 Гбит/с, обеспечивая пропускную способность 3,6 ТБ/с на стек. Samsung управляет как бизнесом по производству памяти, так и логической литейной (foundry), что позволяет ей самостоятельно создавать стек HBM5 и 2-нм кристалл под ним. «Системы ИИ становятся все более мощными и плотно интегрированными, что делает управление теплом, эффективность обработки данных и стабильность корпусирования столь же важными, как и сама производительность памяти», — заявил Сон Джэ Хёк, президент и технический директор подразделения Device Solutions компании Samsung, журналистам на Computex, по сообщению Korea Herald. Сон отметил, что компания продолжит наращивать конкурентоспособность в области памяти следующего поколения посредством сотрудничества с партнерами, включая Nvidia. В прошлом году дорожная карта KAIST прогнозировала, что HBM5 достигнет интерфейса 4096 бит, обеспечивая около 4 ТБ/с на стек и потребляя около 100 Вт на стек — тепловая нагрузка, которая во многом объясняет, почему оба корейских гиганта памяти перерабатывают свои корпуса сейчас, а не на этапе запуска. SK hynix столкнулась с той же проблемой другим путем. Ее дизайн iHBM включает в себя охлаждающие элементы, изготовленные из электрически непроводящего, но теплопроводящего кремния, в слой PHY D2D, что, по заявлению компании, снижает тепловое сопротивление более чем на 30% по сравнению с текущими продуктами. SK hynix решила разместить охлаждающий элемент непосредственно в горячей точке, в то время как Samsung разработала путь для отвода тепла от нее. Оба метода должны дебютировать с HBM5, но пройдет некоторое время, прежде чем мы увидим их в действии, поскольку ни одна из компаний не ожидает массового производства до 2028 года.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Luke James
