Компания Intel намерена воспользоваться текущим спросом на DRAM, объединившись с дочерней компанией SoftBank для запуска новой технологии памяти «ZAM».
Модули памяти ZAM от Intel обеспечивают более высокую энергоэффективность благодаря инновационным межсоединениям и EMIB
Учитывая, что в этом году наблюдается пик развития инфраструктуры для искусственного интеллекта, спрос на DRAM резко возрос из-за активного внедрения гиперскейлерами и производителями чипов. Что еще более важно, поскольку поставщики памяти ограничены во всем мире, узкое место в цепочке поставок сейчас огромно, что подчеркивает необходимость появления новых конкурентов. Именно поэтому Intel, как сообщается, выбирает новый подход к бизнесу памяти. Утверждается, что Intel объединится с Saimemory (SoftBank) для разработки нового стандарта под названием Z-Angle Memory (ZAM).
Сообщается, что работа над технологией памяти ZAM началась в рамках программы Advanced Memory Technology (AMT), инициированной Министерством энергетики США (DoE), в ходе которой Intel продемонстрировала свою «следующую генерацию» технологии склеивания DRAM. Пресс-релиз SoftBank не уточняет, как именно будет позиционироваться Z-Angle Memory. Однако, исходя из того, что нам известно о технологии склеивания DRAM от Intel, ZAM, вероятно, будет использовать ступенчатую топологию межсоединений, направляя соединения по диагонали внутри стека кристаллов, а не напрямую вниз.
Стандартные архитектуры памяти не могут удовлетворить потребности искусственного интеллекта. NGDB определяет совершенно новый подход, который ускорит наше движение в следующее десятилетие.
Мы переосмысливаем организацию DRAM, чтобы фундаментально усовершенствовать архитектуру компьютерных систем, стремясь достичь многократного увеличения производительности и внедрить инновации в отраслевые стандарты.
– Представители Intel о склеивании DRAM нового поколения
Благодаря подходу «Z-Angle» Intel сможет эффективно использовать значительную часть кремниевой площади для ячеек памяти, что обеспечит более высокую плотность и низкое тепловое сопротивление. Судя по тому, как может выглядеть технология склеивания DRAM, ZAM может использовать гибридное медное склеивание, которое обеспечивает более эффективное слияние слоев и создает кремниевый блок, «подобный монолитному», а не отдельные стеки. И поскольку говорится, что ZAM будет безконденсаторной конструкцией, Intel будет использовать EMIB для подключения памяти к ИИ-чипу.
Сотрудничество SoftBank с Intel по ZAM в конечном итоге позволит SoftBank владеть стеком памяти, который, как мы можем увидеть, дебютирует с пользовательскими ASIC компании, такими как линейка Izanagi, что даст компании больший контроль над архитектурной компоновкой. Хотя конкретные цифры по эффективности ZAM по сравнению с HBM пока не приводятся, подход Z-Angle обеспечивает памяти лучшую энергоэффективность и более высокую плотность, что в конечном итоге позволяет осуществлять более высокое штабелирование слоев. Вот как может выглядеть сравнение HBM и ZAM:
- Снижение энергопотребления на 40-50%
- Упрощенное производство благодаря межсоединениям Z-Angle
- Больше памяти на чип (до 512 ГБ)
Это не первый раз, когда Intel пытается выйти на рынок DRAM; у компании был специализированный бизнес в этой области, но она покинула его в 1985 году из-за падения доли рынка после конкуренции со стороны японских производителей. Однако теперь, когда память создала такую значительную возможность для компаний, будет интересно посмотреть, сможет ли ZAM от Intel оказать влияние, и один из эффективных способов сделать это — убедить лидеров, таких как NVIDIA, внедрить эту технологию.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Muhammad Zuhair
