SK Hynix планировала удвоить объем памяти еще до того, как Дженсен Хуанг нацарапал «Пожалуйста, сделайте больше» на кремниевой пластине

Sk Hynix Nvidia Dram память расширение производство wccftech.com

SK hynix планировала удвоить производство памяти к 2030–2031 гг. еще до просьбы главы NVIDIA Дженсена Хуанга. Китайские заводы сыграют ключевую роль в расширении мощностей DRAM до 1 млн пластин в месяц. — wccftech.com

По сообщению корейских СМИ, южнокорейский производитель чипов SK hynix планировал удвоить свои производственные мощности по выпуску памяти к 2030 и 2031 годам относительно текущих уровней еще до просьбы генерального директора NVIDIA Дженсена Хуанга. Генеральный директор NVIDIA написал «пожалуйста, сделайте больше» на пластине Hynix на конференции Computex на Тайване, а источники в цепочке поставок предполагают, что производитель памяти планирует увеличить свою пропускную способность по вводу кремниевых пластин для DRAM до одного миллиона в месяц к 2030 году.

По данным отчета, китайские производственные мощности SK hynix сыграют ключевую роль в расширении производственных мощностей по выпуску памяти

С течением времени, поскольку производители чипов изначально сосредоточились на наращивании производства графических процессоров и упаковки, ключевая роль, которую память играет внутри ИИ-графических процессоров, отошла на второй план. Последовавший бум спроса на графические процессоры, вызванный развертыванием инфраструктуры ИИ, привел к тому, что производство памяти для модулей DRAM, которые собираются вместе для создания пакета памяти с высокой пропускной способностью (HBM), оказалось ограниченным.

Теперь источники в цепочке поставок в Корее, на которые ссылается The Elec, утверждают, что производитель памяти SK hynix агрессивно расширяет свои производственные мощности. Планы Hynix по расширению появились до того, как генеральный директор NVIDIA Чен-Сун Хуанг обратился к фирме с просьбой изготовить больше пластин, написав эту просьбу на пластине памяти на Computex на Тайване.

В центре расширения Hynix находится полупроводниковый производственный кластер Ёнъин в Корее, где фирма стремится почти удвоить производственные мощности к 2030 году. Завод в Уси, Китай, на который приходится почти половина текущего производства DRAM фирмы, также сыграет роль в расширении.

SK Hynix планировала удвоить объем памяти еще до того, как Дженсен Хуанг нацарапал «Пожалуйста, сделайте больше» на кремниевой пластине

Объекты SK hynix в Корее сыграют ключевую роль в расширении производства

Согласно подробностям, кластер Ёнъин SK hynix находится в центре запланированного расширения мощностей. В то время как фирма в настоящее время способна обрабатывать 550 000 пластин DRAM в месяц, SK hynix стремится удвоить эту мощность до одного миллиона пластин в месяц к 2030 году. Это расширение будет обусловлено объектом в Уси, первая фаза которого разделена на шесть чистых комнат, первая из которых начнет принимать оборудование в феврале 2027 года.

Затем SK hynix добавит 60 000 пластин к мощности объекта в Уси, а затем продолжит расширять производственные мощности на аналогичную величину в течение каждого последующего шестимесячного периода. Благодаря этим дополнениям первая фаза объекта будет иметь мощность 360 000 пластин к 2030 году. Кроме того, фирма добавит 80 000 единиц производственной мощности пластин к своему объекту MI5X в комплексе Cheongju Technopolis.

Источники The Elec добавляют, что, хотя рынок с энтузиазмом относится к планам расширения SK hynix, существует некоторая обеспокоенность по поводу того, возрастут ли потребности в дополнительной выпускаемой продукции. Кроме того, производственные партнеры фирмы также опасаются предыдущих увеличений капитальных затрат, за которыми следовали внезапные сокращения заказов на оборудование, что привело к аналогичному результату и на этот раз.

Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.

Похожие новости: