Эра 2-нанометровых чипов, как ожидается, начнется в следующем году. Драйверами внедрения этой технологии станут такие процессоры, как Apple A20 и A20 Pro, а во главе всего процесса стоит TSMC. Тайваньский гигант полупроводниковой индустрии, по сообщениям, сталкивался с технологическими ограничениями в своем 3-нанометровом процессе из-за использования FinFET (Fin Field-Effect Transistor). С архитектурой GAA (Gate All-Around) TSMC стремится улучшить характеристики 2-нанометрового узла как по производительности, так и по энергоэффективности, что привлекло множество клиентов к использованию этого производственного процесса.
Перейдя от FinFET к GAA, TSMC в своем 2-нанометровом процессе сможет добиться улучшения производительности на 10-15% при том же энергопотреблении и даже лучших показателей энергоэффективности.
Ранее сообщалось, что два завода TSMC, производящие 2-нанометровые чипы, были полностью забронированы на 2026 год. Производителю пришлось начать строительство еще трех дополнительных производственных мощностей, чтобы удовлетворить спрос, что потребует инвестиций в размере около 28,6 миллиардов долларов. Теперь, по данным United Daily News, весь 2-нанометровый процесс TSMC полностью забронирован на 2026 год, а массовое производство ожидается к концу года.
Среди клиентов, использующих 2-нанометровый процесс, значатся Qualcomm, MediaTek, Apple, AMD и другие. Однако одной из главных причин высокого спроса является то, что Apple, как сообщается, зарезервировала более половины первоначальных мощностей, чтобы опередить конкурентов. Ожидается, что к концу 2026 года производитель пластин увеличит ежемесячный объем выпуска до 100 000 единиц, что сделает передовую технологию ключевым фактором роста компании.
Преимущество GAA по сравнению с FinFET заключается в использовании метода нанолистового стекирования, который обеспечивает более точный контроль тока и значительно снижает утечки. Это позволяет 2-нанометровому процессу увеличить производительность на 10-15% при том же энергопотреблении или сократить энергопотребление на 25-30% при заданном уровне производительности.
Samsung, как сообщается, начал массовое производство своего 2-нанометрового GAA процесса ранее в этом году. Однако заявленные показатели производительности, энергоэффективности и площади были не столь впечатляющими по сравнению со старым 3-нанометровым GAA узлом. Это может быть связано с «неоптимизированными» выходами годных, и показатели могут улучшиться со временем.
Несмотря на то, что корейский гигант опередил TSMC, последняя поставила качество выше количества и времени. По прогнозам, капитальные затраты тайваньской фирмы в 2026 году могут достичь 48-50 миллиардов долларов, установив новый рекорд, поскольку компания стремится преодолеть технологические барьеры.
Автор –
