Завсегдатаи Tom’s Hardware немало читали о грядущих технологиях памяти HBM4 и GDDR6, но поскольку ни одна из них ещё не применяется в массовых устройствах, лишь немногие из нас имеют возможность увидеть реальные модули памяти HBM4 и GDDR6. Хорошая новость: SK Hynix представила их на выставке CES, и нашему собственному Мэтту Сэффорду удалось сделать несколько снимков.
На выставке SK Hynix продемонстрировала первый в отрасли 16-слойный модуль памяти HBM4, подчеркнув как плотность, которую невозможно было достичь без её технологии формовки MR-MUF, так и 2048-битный интерфейс HBM4. Сообщается, что стеки памяти HBM4 от SK Hynix работают на скорости 10 ГТ/с, что на 25% быстрее официальной спецификации JEDEC. Тем временем, такие пользователи, как Nvidia, хотят иметь запас как для дополнительной производительности в крупномасштабных развёртываниях (если клиенты готовы), так и для повышения энергоэффективности в приложениях гиперскейлеров.
HBM3/HBM3E и HBM4 имеют одинаковый форм-фактор около 10,5 × 12,0 мм, но HBM4 допускает более высокие стеки — до ~950 мкм для 16-слойной версии против ~750 мкм для 12-слойной HBM3 — при этом размещая значительно более плотные выводы ввода-вывода и силовые контакты. Что касается упаковки, компания продолжает использовать свой передовой подход массового формования с заливкой под давлением (MR-MUF): несколько кристаллов памяти монтируются на базовую подложку и соединяются за один этап оплавления, после чего инкапсулируются формовочным материалом между слоями DRAM, базовым кристаллом и подложкой.
Если взглянуть на обратные стороны HBM4 и HBM3E, разница между ними становится очевидной, даже если не учитывать общее количество контактов. HBM3E и HBM4 имеют одинаковые размеры/форм-фактор, поэтому обратная сторона действительно демонстрирует гораздо более плотное и равномерно упакованное поле контактов BGA со заметно более высокой плотностью шариков по всему корпусу. Это не особенно удивительно, поскольку переход от 1024-битного к 2048-битному вводу-выводу даёт о себе знать и требует существенно больше сигнальных шариков, а также дополнительных контактов питания и заземления для поддержки более высокой пропускной способности и более жёстких пределов целостности сигнала. Напротив, обратная сторона HBM3E имеет более разреженное расположение шариков с более чётким разделением между областями, что соответствует её 1024-битному интерфейсу и менее высоким общим требованиям к вводу-выводу.
Кроме того, силовые и заземляющие контакты HBM4 также заметно отличаются от контактов менее передовой памяти. Возможно, HBM4 отводит большую часть площади обратной стороны под контакты питания и заземления; они расположены более равномерно по всему корпусу, что может снизить шум и падение напряжения при таких высоких скоростях передачи данных, как 8 ГТ/с по стандарту или 10 ГТ/с, учитывая заявленную возможность.
Впрочем, мы можем лишь строить предположения, основываясь на том факте, что HBM3E имеет меньше силовых контактов и демонстрирует более чёткое зонирование между областями ввода-вывода и питания. По сути, даже без точных спецификаций, одна только обратная сторона показывает, что HBM4 спроектирована для гораздо более высокой пропускной способности ввода-вывода и более высоких требований к подаче питания.
В любом случае, эти модули HBM4 используют специальные кристаллы DRAM, изготовленные по проверенному техпроцессу 1b нм (5-го поколения 10-нм класса) для объединения большого кристалла DRAM с низкой плотностью дефектов, уменьшенной вариативностью и, в конечном итоге, высокой выработкой, что делает их дешевле, хотя трудно оценить, как эта сниженная стоимость отразится на конечном пользователе.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Anton Shilov
