Производители микросхем памяти просто не успевают выпускать DRAM в достаточном количестве. На фоне дефицита, спровоцированного бумом искусственного интеллекта, компания SK Hynix во вторник объявила о строительстве нового завода по расширенной упаковке и тестированию в Южной Корее стоимостью 19 триллионов вон (около 13 миллиардов долларов США), что может несколько ослабить напряжение на рынке — однако не для потребительских товаров, таких как ноутбуки и смартфоны.
Южнокорейский гигант в сфере памяти представил новый объект, получивший название P&T7. Он будет расположен в индустриальном парке «Чхонджу Технополис» в провинции Чхунбук, Южная Корея. Строительство завода планируется начать в апреле, а завершить — к концу 2027 года.
Объект нацелен на удовлетворение растущего спроса на модули памяти с высокой пропускной способностью (HBM), которые широко используются в графических процессорах для дата-центров и ускорителях ИИ. SK Hynix ожидает, что в период с 2025 по 2030 год спрос на HBM будет расти в среднем на 33 процента ежегодно, что во многом обусловлено колоссальной потребностью в инфраструктуре для ИИ.
HBM производятся путём укладки нескольких слоёв DRAM — чаще всего используются восемь или двенадцать слоёв — для достижения большей ёмкости и пропускной способности при одновременном снижении энергопотребления.
Этот процесс невероятно дорог, поскольку один дефект в любом из слоёв может сделать конечный модуль непригодным. Хуже того, из-за огромных скоростей передачи данных HBM — до 2,75 ТБ/с на модуль в последних поколениях — чипы обычно требуют постоянной совместной упаковки с вычислительной логикой. Это делает маржу критически низкой. Дефектные модули могут привести к списанию графического процессора стоимостью 50 000 долларов.
Именно поэтому специализированные объекты для упаковки и тестирования, такие как недавно анонсированный SK объект P&T7, являются неотъемлемой частью массового производства HBM.
Разработка объекта P&T7 происходит на фоне подготовки SK Hynix к запуску своего завода по производству DRAM M15X. Завод стоимостью 20 триллионов вон (около 13,5 миллиардов долларов США), анонсированный в 2024 году, был построен для удовлетворения растущего спроса на HBM. Чистая комната была открыта в октябре, и, по данным SK, работы по развёртыванию фабричного оборудования идут по плану.
Хотя новые мощности по упаковке могут стать хорошей новостью для таких компаний, как AMD или Nvidia — двух крупнейших потребителей памяти HBM, — этот объект вряд ли поможет снизить стремительный рост цен на память, с которым столкнулись потребители и бизнес в последние месяцы. И хотя HBM иногда появлялась в потребительских продуктах, её чрезвычайно высокая стоимость и сложность, как правило, исключают её применение в современных клиентских устройствах.
Комплекты памяти DDR5, которые год назад продавались менее чем за 100 долларов, сейчас стоят значительно дороже 300 долларов, поскольку поставщики борются с продолжающимся дефицитом DRAM и NAND.
Как мы ранее сообщали, цены на DRAM, как ожидается, останутся высокими в течение следующих нескольких лет, отчасти из-за устойчивого спроса на инфраструктуру ИИ. Аналитики прогнозируют пик цен на DRAM позднее в этом году, после чего они стабилизируются в 2027 году и снова начнут расти в 2028 году.
Пока клиенты вынуждены платить баснословные суммы, производители памяти получают миллиардные доходы. На прошлой неделе Samsung опубликовала обновленный прогноз по итогам четвертого квартала, согласно которому операционная прибыль компании вырастет более чем в три раза, в то время как прибыль Micron и SK Hynix, как ожидается, увеличится более чем вдвое. ®
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Tobias Mann
