Глава маркетинга Qualcomm: «На 100% неверно» — заявления о перегреве Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6, но одна деталь из его поста не внушает доверия

Qualcomm Snapdragon Samsung перегрев производительность чипсет wccftech.com

Qualcomm опровергает слухи о перегреве Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6. Узнайте, почему заявление главы маркетинга вызывает вопросы и что скрывается за упоминанием только стандартной версии чипа.

Внутренние тесты Samsung, по-видимому, выявили, что Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 страдал от проблем с перегревом, что привело к значительному снижению стабильной производительности, хотя результаты из первоначального отчета не были опубликованы. На фоне споров директор по маркетингу Qualcomm Дон Макгуайр выступил с разъяснениями, заявив, что эти утверждения ложны, но его последний пост вызывает больше вопросов, чем ответов.

Новый пост в X упоминает только стандартный Snapdragon 8 Elite Gen 6, а не флагманский Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6

Дон Макгуайр немедленно встал на защиту Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 и в ответ на сообщение Джейсона С. в X заявил, что «OEM-производители постоянно настраивают свои платформы по мере выпуска своих продуктов». Хотя глава отдела маркетинга Qualcomm мог иметь в виду внутренние тесты Samsung, позволяющие Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 работать на пределе максимальной мощности, что приводило к троттлингу, он не указал точное название чипсета в своем посте.

Вместо этого он упомянул Snapdragon 8 Elite Gen 6, опустив приставку «Extreme», что, очевидно, посылает неверный сигнал о флагманском SoC Qualcomm. Несмотря на множество сходств между 2-нм SoC, Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 может быть настроен на достижение заявленных тактовых частот 5,00 ГГц за счет более высокого лимита мощности. Чтобы обеспечить стабильную производительность, Qualcomm не только перешла на 2-нм техпроцесс TSMC, но и внедрила упаковку «Offset PoP».

Обратите внимание, что руководитель Qualcomm не упомянул Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6, только стандартный Snapdragon 8 Elite Gen 6. Это может быть ничего, а может и что-то значить.

Для тех, кто не знаком с технологией Offset PoP, она заключается в размещении радиатора поверх кристалла DRAM, немного отдаляя его от кремния, вместо того чтобы располагать непосредственно сверху, что способствует повышению стабильной производительности Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6. В предыдущем тесте эталонному смартфону потребовалось 15 минут, чтобы достичь максимального температурного порога благодаря улучшенной упаковке, что более чем в два раза дольше по сравнению с устройствами, оснащенными Snapdragon 8 Elite Gen 5.

В нашем предыдущем отчете мы отметили, что, поскольку утверждения исходили от южнокорейского издания, возможно, дискредитация Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 является частью более широкой кампании по представлению Samsung и ее Exynos 2700 в выгодном свете. В конце концов, собственный 2-нм флагман компании ожидается до конца 2026 года, и лучшей возможности, чем сейчас, для поддержания ажиотажа нет.

В рамках нашей должной осмотрительности мы ответили на пост Дона Макгуайра в X, спросив, относится ли он к Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 или к обычному Snapdragon 8 Elite Gen 6. Когда у нас появятся более подробные сведения, мы сообщим нашим читателям всю соответствующую информацию, так что оставайтесь с нами.

Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.

Похожие новости: