Компания Samsung демонстрирует широкий спектр технологий памяти и хранения данных на своем стенде на мероприятии Future of Memory and Storage (FMS) 2026 в Санта-Кларе, Калифорния.
Спустя тринадцать лет после внедрения первой технологии V-NAND компания Samsung первой представила V10 BV-NAND (Bonded V-NAND). Это флеш-память, насчитывающая более 400 слоев и использующая передовую технологию склеивания Samsung для укладки ячеек памяти.
По сравнению с предыдущим поколением V9, плотность памяти V10 увеличена примерно на 58%. Большее количество слоев обеспечивает более высокую производительность чтения, записи и ввода-вывода (I/O). Также улучшена энергоэффективность.
Несколько месяцев назад Samsung начала поставки образцов HBM4E клиентам, а на FMS также представила HBM5 — следующий крупный отраслевой стандарт для памяти с высокой пропускной способностью (HBM).
Однако у Samsung есть и собственное решение под названием zHBM, которое обещает примерно восьмикратное повышение производительности по сравнению с HBM5. Оно также опирается на экспертизу Samsung в области склеивания пластин и может достичь десятикратной плотности памяти по сравнению с HBM5 при тройном повышении энергоэффективности.
zHBM спроектирована для размещения поверх AI-ускорителей, а не рядом с ними на плате. Это минимизирует расстояние, которое должны проходить сигналы данных, что и обеспечивает более высокие скорости и превосходную энергоэффективность.
Также Samsung представила zNAND-O — флеш-память следующего поколения, построенную на технологии V-NAND. Компания разрабатывает версии с 4 и 8 слоями и обещает высокую эффективность использования пространства, улучшенную производительность I/O и более низкую задержку по сравнению с типичной NAND-памятью. zNAND-O ориентирована на периферийный AI (ближе к пользователю), тогда как zHBM предназначена для обучения и инференса AI в облаке.
Кроме того, Samsung продемонстрировала LPDDR5X-PIM — первую в отрасли оперативную память LPDDR с технологией обработки в памяти (PIM). Она выполняет часть обработки данных непосредственно в самой памяти, прежде чем отправлять результаты процессору. Это улучшает как пропускную способность, так и энергоэффективность.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Peter
