Прогнозируется, что рынок устройств на основе карбида кремния (SiC) достигнет примерно 11 миллиардов долларов к 2031 году, демонстрируя среднегодовой темп роста (CAGR) более 20%, что обусловлено электрификацией в различных отраслях, потребностями инфраструктуры искусственного интеллекта (ИИ) и внедрением возобновляемых источников энергии.
Электромобили остаются основным двигателем роста SiC, поскольку эта технология становится предпочтительным решением для инверторов нового поколения и быстро расширяющейся архитектуры платформ 800В благодаря своим преимуществам в превосходной эффективности, запасе хода и плотности мощности. SiC также приобретает все большее значение для инфраструктуры быстрой зарядки электромобилей высокой мощности.
Что наиболее важно, центры обработки данных и инфраструктура ИИ стимулируют резкий рост спроса на блоки питания SiC высокой мощности, ускоряя их внедрение в системах мощностью свыше 3 кВт и в архитектурах нового поколения. Способность материала выдерживать более высокие напряжения, температуры и частоты при снижении потерь энергии делает его идеальным для энергоемких вычислительных кластеров ИИ, развертываемых по всему миру.
В области силовых SiC-устройств вертикальная интеграция остается доминирующей стратегией: ведущие IDM, включая STMicroelectronics, Wolfspeed, ROHM и Onsemi, укрепляют собственные мощности по производству пластин или обеспечивают долгосрочные поставки. Infineon и Bosch продолжают закупать пластины и эпитаксиальные слои у внешних поставщиков, таких как SiCC и TankeBlue.
Переход на пластины диаметром 200 мм представляет собой важную переломную точку, при этом Wolfspeed, Infineon и Bosch лидируют в массовом производстве с 2026 года. Этот сдвиг стимулирует масштабное расширение мощностей, что критически важно для повышения экономической эффективности и удовлетворения будущего спроса. Глобальные инвестиции в размере более 30 миллиардов долларов подчеркивают приверженность развитию SiC, при этом Азия лидирует в расширении, особенно Китай.
Китай стремительно укрепляет свои позиции на рынке, наращивая долю рынка среди производителей пластин, таких как SiCC и TankeBlue, и производителей устройств, таких как UNT. Китайские производители продемонстрировали несколько типов 12-дюймовых пластин на ранних стадиях НИОКР, сигнализируя о стремлении возглавить следующий этап развития технологии SiC.
Глобальные инвестиции в мощности SiC, превышающие 30 миллиардов долларов, подчеркивают убежденность отрасли в том, что полупроводники на основе широкозонных материалов являются основой будущего, основанного на ИИ и электрификации.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Pandaily
