Новости: карбид кремния
Киотский университет создал транзистор, выдерживающий +600°C, совместимый со стандартными полупроводниковыми фабриками
Узнайте о карбид-кремниевом транзисторе, работающем при 600 °C. Ионная имплантация снизила разброс порогового напряжения до 0,1 В. Познакомьтесь с новой структурой для высокотемпературной логики.

Карбид кремния вступает в эру ИИ: энергообеспечение дата-центров нового поколения
Рынок устройств на основе карбида кремния (SiC) достигнет $11 млрд к 2031 году благодаря спросу центров обработки данных ИИ, внедрению электромобилей и возобновляемой энергетике. Китайские игроки стремительно наращивают долю рынка. — pandaily.com

Самое просматриваемое:
- Вот как использовать новую кнопку “Плюс”…
- Bitcoin Depot оштрафован на $18,5 млн – сталкивается…
- WatchGuard бьёт тревогу: критическая уязвимость…
- Оверклокер обновил утилиту для разгона Hydra —…
- Как настроить ComfyUI для генерации изображений ИИ…
- Результаты еженедельного опроса: Samsung Galaxy Z…
- ECARX берет управление бизнесом Flyme OS в свои руки…
- Intel преодолела рубеж в миллион пластин,…
- США прикрыли платформу для хранения паролей, которой…
- Исследователи из MIT возродили 40-летнюю концепцию…
