Китайский лидер в производстве DRAM, компания CXMT, начала массовое производство с использованием технологии 5-го поколения. CXMT заявляет, что ее новая технологическая норма G5 снижает полушаг активной области DRAM до 11,95 нм с использованием литографии с квадрупольным паттернированием. Полушаг в 11,95 нм соответствует шагу активной области в 23,9 нм, что приближает это измерение к показателям других передовых DRAM-технологий 10-нм класса. Однако это нельзя напрямую соотнести с традиционным обозначением технологического процесса DRAM. Отдельно CXMT сообщает, что ее оптимизированный для DRAM процесс с использованием высоко-k металлического затвора (HKMG) снизил высоту массива ячеек до 6762 нм. Компания также заявила, что модифицировала технологический процесс и внедрила неуказанные новые материалы для создания конденсаторов хранения с соотношением глубины к ширине около 45:1. Это значение трудно напрямую сравнить с конкурирующими технологиями производства DRAM, но SK hynix утверждает, что соотношение сторон конденсаторов должно превышать 100:1 по мере того, как критические размеры DRAM в конечном итоге опустятся ниже 10 нм. Соотношение 45:1 означает, что конденсаторы хранения CXMT в 45 раз глубже, чем шире, что позволяет компании уменьшить площадь ячеек DRAM и разместить больше массивов памяти на пластине, обеспечивая предсказуемую емкость. Однако все более высокие соотношения сторон делают травление, осаждение, механическую стабильность и, в конечном итоге, высокопроизводительное производство значительно более сложными. Первыми устройствами, выпущенными по технологии G5, стали чипы LPDDR5X объемом 24 Гбит, которые уже запущены в массовое производство. Эти чипы предлагают на 50% большую емкость по сравнению с предыдущими сопоставимыми продуктами CXMT и доступны в двух форм-факторах для различных конструкций мобильных устройств. Согласно китайским источникам, 24-гигабитные LPDDR5X уже поступают в основные китайские флагманские смартфоны.
Между тем, есть несколько важных оговорок.
Во-первых, показатель CXMT в 11,95 нм относится к полушагу активной области, а не к традиционному обозначению технологического процесса, поэтому называть G5 12-нм процессом — это, в лучшем случае, сильное упрощение. Во-вторых, два раскрытых физических размера не означают технологического паритета с последними DRAM-процессами от Micron, Samsung и SK hynix, поскольку плотность, масштабирование конденсаторов, характеристики транзисторов, энергопотребление и, возможно, самое важное для товаров массового спроса, выходы имеют значение. В-третьих, CXMT заявляет, что G5 обеспечивает как минимум на 50% больше кристаллов на пластину по сравнению с G4, но без фактических цифр это не имеет значения. CXMT также не раскрыла данные о выходах, что делает невозможным определение увеличения производительности, не говоря уже о количестве годных кристаллов или фактической себестоимости производства за бит. Тем не менее, даже заявленный 11,95-нм класс узла DRAM является достижением.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Anton Shilov
