Американский гигант в области памяти Micron полагает, что дефицит на рынке памяти, касающийся продуктов HBM, NAND и DRAM, продлится далеко за пределами 2026 календарного года. Мнение Micron было изложено JPMorgan в инвестиционной записке, где банк поделился выводами, озвученными руководством компании на 54-й Ежегодной конференции J.P. Morgan по глобальным технологиям, СМИ и коммуникациям (TMC), проходившей в Бостоне, штат Массачусетс.
JPMorgan Убежден в Многолетнем Бычьем Сценарии для Памяти ИИ После Презентации Micron
В своем обзоре JPMorgan отмечает, что на конференции TMC компания Micron заявила, что ожидает сохранения дефицита на рынке памяти дольше 2026 календарного года, поскольку высокопроизводительные чипы памяти повышают производительность моделей искусственного интеллекта. JPMorgan добавил, что Micron также считает, что поскольку наращивание поставок чипов HBM, NAND и DRAM затруднено, дефицит продлится довольно долго.
Банк добавляет, что дефицит на рынке памяти обусловлен несколькими факторами. В первую очередь, дефицит можно объяснить снижением темпов прироста производительности последующих поколений чипов памяти и большими размерами кристаллов новых чипов HBM. Кроме того, ожидается, что литография EUV также сыграет ключевую роль в новейшем производстве памяти DRAM.
Micron Делает Ключевые Заявления о Производстве Памяти HBM4
По данным JPMorgan, руководители Micron заявили на мероприятии, что из-за бурного роста спроса со стороны приложений ИИ, техпроцесс 1-gamma, как ожидается, станет самым массовым техпроцессом DRAM в истории компании по общему объему выпуска пластин. Чипы памяти HBM, обычно используемые в GPU для ИИ, полагаются на модули DRAM, которые укладываются друг на друга с последующим корпусированием всего чипа. Micron также отметила, что продолжает интегрировать литографию EUV в производство памяти 1-gamma.
Что касается производства, Micron также сообщила, что из-за высокого спроса на ИИ, наращивание производства HBM4 происходит вдвое быстрее, чем производство HBM3. Компания добавила, что запуск производства памяти следующего поколения HBM4E начнется в 2027 календарном году, при этом первые образцы будут использовать модули DRAM, изготовленные по техпроцессу 1-gamma.
Наконец, Micron также подчеркнула, что рост контекстных окон ИИ и рабочих нагрузок инференса позволил ей увеличить долю рынка твердотельных накопителей (SSD). Компания тесно сотрудничает со своими клиентами для разработки продуктов, соответствующих их потребностям, а не поставляет готовые решения.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Ramish Zafar
