Сообщается, что память Samsung HBM4 достигла высокого показателя выхода годных почти 80%, что укрепило уверенность компании.
Samsung чувствовала себя обойденной в сфере «AI DRAM», но её показатели выхода годных HBM4 прогрессируют, и AMD уже задействует её решение на чипах MI400
Samsung пришлось преодолеть серьезные препятствия в сегменте HBM, чтобы конкурировать с SK Hynix и Micron. На протяжении нескольких поколений компания пыталась разработать и провести валидацию своей памяти с многочисленными партнерами, но прогресс был медленным, но уверенным. Теперь, по сообщениям, Samsung достигла важного рубежа в своей дорожной карте HBM, которая включает память HBM4.
Согласно отчету Sedaily, Samsung достигла показателя выхода годных HBM4 почти 80%, что считается «золотым выходом» в отрасли. Samsung начала массовое производство своего новейшего решения HBM4 в феврале этого года, предлагая 12-Hi стеки и поддерживая до 36 ГБ емкости на стек. Эти модули DRAM обеспечивают скорость 11,7–13,0 Гбит/с. Некоторые из ключевых особенностей решения Samsung HBM4 включают:
- Техпроцесс DRAM класса 10 нм (1c)
- Логический техпроцесс 4 нм
- Скорость контактов 11,7–13,0 Гбит/с
- Пропускная способность до 3,3 ТБ/с на стек
- 12-Hi HBM4 емкостью 24–36 ГБ
- 16-Hi HBM4 емкостью 48 ГБ
- 2048-контактный ввод-вывод
- Улучшение энергоэффективности на 40%
- На 10% лучшее тепловое сопротивление по сравнению с HBM3E
- На 30% лучшее рассеивание тепла по сравнению с HBM3E
Когда было впервые объявлено о массовом производстве, показатель выхода годных HBM4 у Samsung, по сообщениям, составлял 60%, но благодаря ускоренному и оптимизированному плану производства компания досрочно достигла своей цели на конец года, выйдя на 80%. С таким показателем Samsung удивила отрасль и добавила уверенности в своей дорожной карте HBM.
Показатель выхода годных HBM4 Samsung Electronics недавно приблизился к отметке 80%, вплотную подойдя к достижению «золотого выхода». Показатель, который на ранних этапах массового производства в феврале составлял менее 60%, взлетел до первоначального целевого показателя на конец года всего за полгода. Темпы улучшения процесса оцениваются как опережающие ожидания отрасли.
по данным SEDaily
Благодаря этому Samsung увеличила выручку от HBM4 DRAM в третьем квартале втрое, расширив долю своей памяти HBM4 более чем на 60% во втором полугодии 2026 года среди всех HBM-продуктов.
Теперь компания занимает хорошие позиции, чтобы бросить вызов доминированию SK Hynix в сегменте HBM. Что касается HBM4E, Samsung, по сообщениям, повысила выход годных при тестировании надежности до 70%, готовясь выйти в сегмент HBM следующего поколения с надежным продуктом. Компания представила свою память HBM4E ранее в этом году, с емкостью 48 ГБ и пропускной способностью до 4 ТБ/с на стек DRAM.
AMD уже использует память Samsung HBM4 для своей платформы Instinct MI400, а с улучшениями в HBM4E компания также намерена привлечь NVIDIA для Rubin Ultra вместе с серией MI500 следующего поколения.
Дорожная карта HBM Samsung совершила значительный скачок по сравнению с предыдущими уровнями, что подчеркивает стремительный прогресс компании и возрожденную уверенность. Поскольку AMD уже внедряет эту память для своей серии Instinct MI400, а импульс в направлении HBM4E нарастает, Samsung уверенно позиционирует себя как серьезного игрока в высококонкурентной сфере AI DRAM.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Hassan Mujtaba
