Выпуск 1d DRAM (10-нм техпроцесс 7-го поколения) от Samsung для решений HBM нового поколения может быть отложен из-за недостижения целевых показателей выхода годных.
Технология DRAM нового поколения от Samsung для будущей памяти HBM5E может не выйти в производство
Согласно отчету корейского издания IT Chosun, из-за неудовлетворительных показателей выхода годных для своей 1d «D1d» DRAM, основанной на 10-нм техпроцессе, Samsung может отказаться от массового производства своих решений HBM нового поколения.
Технология DRAM уже получила предварительное одобрение на производство (PRA), однако возникли опасения относительно рентабельности (ROI) запуска пробной партии, не говоря уже о массовом производстве, поскольку показатели выхода годных оказались ниже целевых уровней.
“Samsung Electronics планирует отложить массовое производство на неопределенный срок до тех пор, пока выход годных D1d не достигнет целевого уровня, и на данный момент дата возобновления не определена”, — сообщил источник, знакомый с внутренней работой Samsung Electronics. “Они сосредоточены на дальнейшем увеличении выхода годных путем полного пересмотра дорожной карты процесса”.
Машинный перевод через IT Chosun
Технология D1d DRAM от Samsung будет играть решающую роль в будущей дорожной карте памяти HBM компании. Ожидается, что она будет использоваться в HBM5E, решении HBM 9-го поколения от корейской полупроводниковой компании.
В настоящее время 1c DRAM используется в трех поколениях продуктов HBM, включая HBM4, HBM4E и HBM5. HBM4 выйдет позднее в этом году и будет использоваться в платформах Vera Rubin от NVIDIA и MI400 от AMD, в то время как HBM4E, как ожидается, будет применяться в ускорителях Rubin Ultra и MI500. HBM5 и кастомные дизайны, как ожидается, будут внедрены в линейках Feynman от NVIDIA и других конкурирующих решениях.
Несколько дней назад мы сообщали, что Samsung значительно сокращает цикл разработки HBM. Хотя это приведет к более быстрой подготовке новых решений HBM, это не означает, что они будут готовы к производству. Циклы разработки и производства различны, и именно производственный цикл назван узким местом в новом отчете.
В то же время Samsung Electronics направила дополнительные ресурсы на строительство массивного завода по производству чипов в Оняне, Корея. Это предприятие, занимающее площадь четырех футбольных полей, будет использоваться для производства DRAM-продуктов нового поколения, включая HBM. Объект будет отвечать за упаковку, тестирование, логистику и контроль качества — все это имеет решающее значение для устойчивого производства.
Быстрая разработка наряду с расширением производственных мощностей поможет Samsung конкурировать с SK Hynix, которая также разработала и обеспечила выход годных для своей технологии D1d DRAM. Обе компании соревнуются за крупные контракты с ведущими AI-компаниями, и только та, кто сможет диверсифицировать свои планы по HBM, сосредоточиться на устойчивых планах разработки и производства, обеспечивая при этом хорошие показатели выхода годных и стабильный ROI, сможет добиться положительных результатов.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Hassan Mujtaba
