Samsung приближается к своей технологии V-NAND с 1000 слоями, достигнув первого прототипа с 900 слоями и готовясь к жесткой конкуренции с соперниками.
Прототип V-NAND Samsung с 900 слоями объединяет две 450-слойные ячейки в одну, находясь в шаге от NAND с 1000 слоями
Samsung является пионером в области полупроводников памяти. Ее технология V-NAND считается одной из лучших на рынке, и еще в 2024 году компания планировала выпустить NAND с 1000 слоями с использованием новых «сегнетоэлектрических» материалов.
По сообщению ETNews, Samsung добилась успеха в технологии V-NAND с 900 слоями, используя технологию CMB (Cell Multi-Bonding), которая по сути объединяет два стека ячеек по 450 слоев в одно устройство. Благодаря 900 слоям V-NAND Samsung сможет значительно увеличить емкость решений для хранения данных, таких как SSD, которые используются во всех аспектах мира вычислений, включая корпоративный и клиентский сегменты, такие как серверы, настольные ПК, ноутбуки, смартфоны и многое другое.
По данным полупроводниковой отрасли на 25-е число, Samsung Electronics недавно внедрила интегрированную систему V-NAND класса 900 слоев с использованием технологии «Cell Multi-Bonding (CMB)», которая объединяет две пластины ячеек по 450 слоев в одну.
ETNews
Для достижения ошеломляющих 900 слоев V-NAND Samsung пришлось преодолеть несколько препятствий, одним из основных опасений было коробление пластин. Но эта проблема была решена с внедрением конструкции Upper Chuck Design. Другие исправления включали ошибки совмещения благодаря использованию технологий «Overlay Correction» (коррекция наложения).
В настоящее время SK Hynix лидирует в гонке, поскольку первой разработала и предложила технологию NAND с 321 слоем. Уже ведутся работы над NAND с 400 слоями, которые будут достигнуты с использованием вертикального соединения (Vertical Bonding) у Samsung и гибридного соединения (Hybrid Bonding) у SK Hynix.
В то же время китайская YMTC (Yangtze Memory Technologies Co) также ускоряет свои планы по NAND. Компания уже предлагает устройства NAND с 294 и 232 слоями и сокращает отставание от зарубежных компаний, таких как Samsung, SK Hynix и Micron. YMTC также вкладывает большие средства в новые фабрики, которые должны удвоить ее текущую мощность по производству пластин в критический момент, когда рынки сталкиваются со значительным разрывом спроса и предложения из-за гиперцикла ИИ.
Многослойный подход к NAND для достижения 900+ слоев все еще находится на стадии прототипа, но он прокладывает путь для будущего расширения хранилищ. Цель для V-NAND с 1000 слоями — выпуск в 2030 году, а с 400+ слоями — в ближайшие годы.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Hassan Mujtaba
