По данным инсайдеров отрасли, Samsung и SK hynix используют два разных подхода к производству микросхем памяти DRAM нового поколения. Бум спроса на вычислительную продукцию, вызванный созданием дата-центров для ИИ, создал напряжение на рынке памяти, что привело к дефициту на рынках HBM, DRAM и других чипов, поскольку все они зависят от одного и того же сырья для производства. Источники сообщают, что в рамках усилий по производству чипов нового поколения Samsung заинтересована в использовании технологии изготовления GAAFET (gate-all-around FET) для своих микросхем DRAM следующего поколения.
Отчет: Samsung стремится применить технологию производства NAND для DRAM
В то время как для технологических процессов производства процессоров приложений используются обозначения в нанометрах, технологии для микросхем памяти полагаются на другую номенклатуру. Для описания набора производственных узлов используются буквенные коды, такие как 1c, обозначающие продукты, изготовленные по техпроцессу 10 нанометров или меньше.
Поскольку микросхемы памяти отличаются от процессоров необходимостью хранения данных, их изготовление также включает создание конденсатора для удержания данных. Этот конденсатор работает с транзистором, и по мере уменьшения размеров узлов сложность хранения данных внутри него возрастает, поскольку конденсатор должен иметь определенный размер, чтобы быть работоспособным.
В результате производители чипов переходят к 3D DRAM, где транзисторы располагаются горизонтально, а не укладываются вертикально, поскольку достижения в производстве позволяют добиться большей плотности, что увеличивает вероятность контакта двух транзисторов друг с другом.
Один из подходов, который Samsung разрабатывает для своих новых чипов DRAM, — это использование технологического процесса изготовления GAAFET. При производстве процессоров приложений GAAFET оборачивает затвор транзистора вокруг его канала. Поскольку затвор отвечает за управление потоком тока в транзисторе, увеличенный контакт затвора с каналом в GAAFET приводит к улучшению производительности.
Однако, по данным источников, поскольку микросхема DRAM также состоит из конденсаторов, Samsung необходимо интегрировать транзистор GAAFET и конденсатор внутрь ячейки DRAM. Один из методов, который рассматривает компания, — это размещение схемы чипа, управляющей такими операциями, как чтение и запись, под массивом памяти, как это принято в чипах NAND.
С другой стороны, SK hynix экспериментирует с подходом 4F², где транзисторы укладываются вертикально, а материал затвора оборачивается вокруг них. Это похоже на процесс GAAFET, а компоненты чипа, отвечающие за прием данных от конденсатора, размещаются под столбиком транзистора.
Согласно источнику, SK hynix и Samsung соревнуются за то, чтобы их подход был признан первым и стал стандартной моделью для доминирования в следующем поколении микросхем DRAM.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Ramish Zafar
