SK hynix успешно завершила разработку памяти HBM4 в прошлом году, однако это не означает, что компания находится в спокойной гавани. Согласно последним данным, поставка оборудования для производства нового поколения памяти High-Bandwidth Memory отложена до следующего года. Эта новость породила неподтвержденные слухи о возможных технических трудностях SK hynix с HBM4, хотя также возможно, что компания увеличивает прибыль за счет производства стандартной DRAM.
Несмотря на мнение аналитиков о преувеличенных проблемах с качеством HBM4 у SK hynix, предыдущие отчеты указывают на один метод как на источник этой проблемы
Оборудование для бэкэнд-обработки должно было быть поставлено SK hynix в этом году, но, по сообщениям Dealsite, заказы перенесены на 2027 год. Учитывая, что HBM является движущей силой восстановления производства Samsung Foundry и что последняя, по сообщениям, взимает с клиентов в три раза больше за HBM4, SK hynix рискует понести огромные убытки, если не получит передовое оборудование вовремя.
С другой стороны, вполне возможно, что SK hynix намеренно отложила поставку упомянутого оборудования для бэкэнд-обработки из-за роста цен на стандартную DRAM. Эти чипы памяти остаются основным источником прибыли для SK hynix, поэтому любые спекуляции о задержке оборудования для HBM могут быть связаны с тем, что компания снижает инвестиции в последнее в обмен на увеличение прибыли.
Аналитик Daishin Securities Рю Хён Гын заявил, что опасения по поводу качества преувеличены и что проблемы с бэкэнд-обработкой решаемы. Анонимные отраслевые источники также упомянули, что SK hynix остается лидером в области упаковки памяти, поскольку уже поставила образцы 16-слойной HBM4 ключевым клиентам, поэтому задержка заказов на оборудование не обязательно означает производственные проблемы.
Однако @zephyr_z9 любезно отметил, что SK hynix действительно испытывает проблемы с бэкэнд-обработкой, и то, что когда-то было источником ее силы, позволившим ей обойти Samsung и Micron, теперь стало ее слабым местом. Технология Molded Underfill (MUF) дала SK hynix преимущество, необходимое для превосходства над конкурентами, но еще в марте 2026 года ZDNet сообщала, что производитель испытывает трудности с введением этого подслоя между кристаллами DRAM в стеке HBM.
Поскольку расстояние между кристаллами DRAM было уменьшено в соответствии со стандартами JEDEC, это стало причиной производственных проблем SK hynix с HBM4. Конечно, мы обратились в компанию за комментарием, и если получим какие-либо обновления, сообщим о них нашим читателям, так что следите за новостями.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Omar Sohail
