Ожидается, что чип Exynos 2700 будет использовать техпроцесс Samsung SF2P, ядра ARM C2, улучшенную систему охлаждения, память LPDDR6 и накопитель UFS 5.0; внутреннее кодовое имя — «Улисс».

exynos 2700,samsung,техпроцесс sf2p,arm cortex-c2,теплоотвод,мобильные процессоры

Подробности о грядущем чипе Samsung Exynos 2700: ожидается техпроцесс SF2P, ядра ARM C2, значительный прирост производительности и новая технология теплоотвода FOWLP-SbS, нацеленная на превосходство над Exynos 2600.

Чип Samsung Exynos 2600, который, как ожидается, будет использоваться в базовых моделях Galaxy S26 и Galaxy S26+ в ряде регионов, в некотором смысле является по-настоящему революционным, особенно благодаря применению инновационного медного радиатора, прикрепленного непосредственно к процессору (AP). Тем не менее, недавно анонсированный Samsung SoC далеко не идеален, что, по иронии судьбы, создает идеальный фон для того, чтобы чип Exynos 2700, запланированный к выходу в 2027 году, засиял еще ярче.

По сообщениям, чип Samsung Exynos 2700 отдает приоритет тепловой эффективности благодаря унифицированному блоку пути тепла (Unified Heath Path Block)

Недавно малоизвестный инсайдер обнародовал некоторые общие характеристики чипа Samsung Exynos 2700, ориентированного на 2027 год, который, по слухам, носит внутреннее кодовое название Ulysses. Стоит отметить, что на упомянутого инсайдера в X подписан более известный эксперт по утечкам о Samsung, что придает достоверности сообщаемой информации.

Начнем с предсказуемых вещей: ожидается, что Exynos 2700 будет использовать техпроцесс Samsung SF2P, который является следующим поколением 2-нм техпроцесса GAA, применяемого в чипе Exynos 2600.

Для тех, кто не в курсе, GAA (Gate-All-Around, «затвор со всех сторон») — это 3D-транзисторная архитектура, в которой затвор полностью окружает канал — состоящий из вертикально расположенных нанослайсов — со всех четырех сторон, что обеспечивает улучшенный электростатический контроль и более низкий порог напряжения.

Возвращаясь к теме, ожидается, что новый техпроцесс Samsung SF2P обеспечит прирост общей производительности на 12 процентов и снижение общего энергопотребления на 25 процентов по сравнению с предыдущим узлом SF2. Более того, техпроцесс следующего поколения от Samsung позволит разогнать основной (prime) ядро до 4,20 ГГц по сравнению с максимальной частотой 3,90 ГГц в чипе Exynos 2600.

Далее, чип Exynos 2700, как ожидается, будет использовать ядра ARM Cortex-C2. Следует отметить, что ARM изменила номенклатуру своих ядер, отказавшись от обозначения Cortex. Таким образом, новые ядра ARM, которые будут встроены в чип Exynos 2700, скорее всего, выйдут под названиями C2-Ultra и C2-Pro. Для справки, чип Exynos 2600 имеет следующую архитектуру:

  1. 1 ядро C1-Ultra с частотой 3,90 ГГц (некоторые утечки предполагают частоту 3,80 ГГц)
  2. 3 ядра C1-Pro с частотой 3,25 ГГц
  3. 6 ядер C1-Pro с частотой 2,75 ГГц
  4. Графический процессор Samsung Xclipse 960 (тактовые частоты не раскрыты) с поддержкой трассировки лучей
  5. AI Engine с NPU (нейронным процессором) на 32K Mac
  6. Поддержка оперативной памяти LPDDR5X

Хотя это не было прямо упомянуто, вполне вероятно, что Samsung сохранит конфигурацию ядер 1+3+6 от чипа Exynos 2600 для своего следующего поколения Exynos 2700. Кроме того, благодаря использованию новых ядер ARM C2, чип Exynos 2700, вероятно, достигнет прироста IPC (инструкций за такт) около 35 процентов.

Более того, при частоте основного ядра 4,20 ГГц мы можем ожидать теоретическую оценку в Geekbench 6: 4800 баллов для одноядерного теста и 15 000 баллов для многоядерного, что представляет собой скачок примерно на 40 и 30 процентов соответственно по сравнению с чипом Exynos 2600.

Ожидается, что чип Exynos 2700 будет использовать техпроцесс Samsung SF2P, ядра ARM C2, улучшенную систему охлаждения, память LPDDR6 и накопитель UFS 5.0; внутреннее кодовое имя — «Улисс».

Далее, в том, что может стать самым значительным изменением в дизайне, чип Exynos 2700, как ожидается, будет использовать технологию корпусирования FOWLP-SbS (Side-by-Side), которая задействует унифицированный блок пути тепла (медный радиатор) для DRAM и AP, что обеспечит эффективное рассеивание тепла, особенно поскольку HPB (Heat Path Block) будет полностью покрывать AP, в отличие от текущей реализации в Exynos 2600, где только часть AP контактирует с радиатором.

Ожидается, что чип Exynos 2700 будет использовать техпроцесс Samsung SF2P, ядра ARM C2, улучшенную систему охлаждения, память LPDDR6 и накопитель UFS 5.0; внутреннее кодовое имя — «Улисс».

Разумеется, Samsung, как ожидается, будет использовать графический процессор Xclipse на архитектуре AMD и в чипе Exynos 2700, который также, как ожидается, выиграет от более высоких скоростей передачи данных, обеспечиваемых LPDDR6 и UFS 5.0, что приведет к увеличению производительности на 30–40 процентов. Стоит отметить, что LPDDR6 поддерживает пропускную способность до 14,4 Гбит/с. В качестве побочного замечания, некоторые недавние отчеты предполагали, что Samsung перейдет на собственный графический процессор в чипе Exynos 2800.

Учитывая значительное количество месяцев до официального анонса чипа Exynos 2700 компанией Samsung, существует, предсказуемо, немало неясных моментов. Например, нам еще предстоит узнать, выберет ли Samsung интегрированный модем для Exynos 2700. В конце концов, внешние модемы значительно менее эффективны по сравнению с интегрированными аналогами, но они позволяют упростить процесс производства AP, что способствует увеличению выхода годных чипов.

Конечно, если эти слухи подтвердятся, чип Samsung Exynos 2700, вероятно, станет серьезным конкурентом для следующей итерации Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 5, что позволит южнокорейскому гиганту, возможно, вырваться из весьма дорогостоящей «удавки» Qualcomm вокруг своего смартфонного бизнеса.

Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.