За день до начала Snapdragon Summit китайский создатель контента опубликовал видео с инженерным прототипом первого 2-нм чипа Qualcomm — Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6. В ролике раскрываются многочисленные характеристики чипсета, его новая усовершенствованная упаковка SoC, а также результаты тестирования в Geekbench 6 по одноядерной и многоядерной производительности.
Apple A20 Pro все еще быстрее Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 в Geekbench 6, хотя последний немного опережает его в многоядерном тесте
Некоторые характеристики Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 были известны до утечки видео: новая конфигурация процессорных ядер «2 + 3 + 3», где два ядра работают на частоте 5,10 ГГц, три — на 4,00 ГГц, и еще три — на 3,74 ГГц. Это первое изменение конфигурации за многие годы, вероятно, связанное с переходом на улучшенный 2-нм техпроцесс TSMC «N2P» и новой упаковкой, о которой мы расскажем ниже.
Более высокие тактовые частоты означают, что Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 покажет отличные результаты в бенчмарках. Пользователь Bilibili Nonx_Official уже опубликовал результаты тестов Geekbench 6. Что касается того, превосходит ли грядущий флагманский чип Qualcomm Apple A20 Pro в том же тесте, есть хорошие и плохие новости. Плохая новость: A20 Pro по-прежнему является лидером по одноядерной производительности, набрав 4725 баллов и 12575 баллов в многоядерном тесте.
Инженерный прототип Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 набирает 4327 баллов в одноядерном тесте и 12873 балла в многоядерном. Коммерческая версия A20 Pro оказывается на 9,2% быстрее. Учитывая, что инженерные прототипы всегда демонстрируют более высокие результаты, поскольку чипы в них работают на более высоком пределе мощности, смартфоны с Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6, вероятно, покажут еще более низкие результаты в однопоточном и многопоточном режимах.
Хотя последнее сравнение показывает, что A20 Pro является самым быстрым мобильным чипом в Geekbench 6, мы будем ждать дополнительных результатов. Что касается Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6, то на одном из изображений видно, что компания внедрила Heat Pass Block, аналогичный тому, что Samsung добавила в Exynos 2600. По сути, это радиатор, который быстрее отводит тепло от SoC.
Память Samsung DRAM по-прежнему расположена поверх Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6, а не сбоку, как у Apple A20 Pro. Поэтому нам предстоит выяснить, не совершила ли Qualcomm ошибку в своей реализации. Напоминаем, Snapdragon Summit начинается завтра, так что все детали, которые не были раскрыты в этом видео, станут известны завтра.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Omar Sohail
