Китайский чемпион по производству DRAM, компания ChangXin Memory Technologies (CXMT), начала риск-производство памяти HBM3E, сообщает The Information. Хотя CXMT по-прежнему отстаёт на поколение от трёх крупнейших производителей памяти, которые уже выпускают HBM4 в массовом порядке, само собой разумеется, что достижение этапа HBM3E подчёркивает быстрый технологический прогресс компании.
Характеристики продуктов HBM3E от CXMT неизвестны, однако, учитывая, что речь идёт о риск-производстве, фактические характеристики реальных продуктов HBM3E от CXMT могут отличаться от образцов риск-производства. Тем не менее, общие спецификации JEDEC хорошо известны: модули HBM3E имеют 1024-битный интерфейс памяти, поддерживают скорость передачи данных до 9,6 GT/s на контакт и могут объединять 8 или 12 устройств памяти. В зависимости от точных частотных корзин, HBM3E может обеспечивать пропускную способность памяти до 1,228 ТБ/с.
Ёмкость фактических стеков памяти зависит от количества используемых в стеке кристаллов DRAM: продукты HBM3E могут предлагать ёмкость 24 ГБ в стеке из восьми кристаллов или 36 ГБ в стеке из 12 кристаллов при использовании кристаллов DRAM ёмкостью 24 Гбит.
По данным отчёта, несколько китайских разработчиков передовых процессоров уже оценивают HBM3E от CXMT в сочетании со своими процессорами, включая T-Head (подразделение Alibaba Group) и Cambricon Technologies. Если тестирование и квалификация пройдут по плану, эти компании смогут начать использовать HBM3E от CXMT в коммерческих продуктах уже в следующем году.
Поскольку каждый корпус HBM требует нескольких крупных кристаллов DRAM, наращивание выпуска HBM может потребовать значительных производственных мощностей DRAM, и здесь агрессивное расширение мощностей CXMT окажется кстати.
Производство HBM3E компанией CXMT важно по нескольким причинам, и, пожалуй, само поколение HBM3E имеет меньшее значение, чем способность CXMT в принципе выпускать работоспособную HBM.
Во-первых, HBM — один из критических компонентов современных ускорителей ИИ, поэтому если HBM3E от CXMT пройдёт квалификацию с процессорами от Cambricon, T-Head и других китайских разработчиков, Китай станет менее зависим от Micron, Samsung и SK hynix при создании высокопроизводительного ИИ-оборудования.
Во-вторых, несмотря на отставание на поколение от HBM4, HBM3E остаётся очень производительной памятью и может обеспечить пропускную способность в несколько ТБ/с, достаточную для мощных ускорителей ИИ. Более того, многим китайским разработчикам ускорителей ИИ не обязательно нужен HBM4/HBM4E для создания полезных ИИ-систем.
В-третьих, HBM значительно сложнее, чем обычная DRAM. CXMT необходимы не только конкурентоспособные кристаллы DRAM, но и высокоэффективное объединение в стеки, сквозные кремниевые переходы (TSV), сверхточные межсоединения, управление температурой, корпусирование и тестирование. Выход на риск-производство HBM3E доказывает, что китайская экосистема памяти продвигается дальше простого выпуска товарной DRAM.
Наконец, есть и важный геополитический аспект. Экспортные ограничения ограничивают доступ Китая к передовым ИИ-процессорам и HBM, поэтому сочетание китайских ускорителей, HBM3E от CXMT и передового отечественного корпусирования означает, что Китай становится на шаг ближе к самообеспечению в области полупроводников.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Anton Shilov
