Еще одна неделя — еще одна история о том, как китайская компания CXMT, похоже, использует свои новые технологические возможности, чтобы составить конкуренцию так называемой «большой тройке» производителей памяти — Samsung, SK hynix и Micron.
Тем не менее, последняя история весьма амбициозна по своему масштабу: она описывает, как CXMT готовится обогнать Samsung примерно на 2 года в разработке архитектуры ячеек памяти нового поколения 4F².
CXMT намерена представить серверный продукт памяти на базе совершенно новой архитектуры ячеек к концу 2026 года, в то время как Samsung планирует производить продукты на этой архитектуре только в 2028 году
Так, президент CXMT доктор Цао Каньюй недавно выступил с речью на 4-й конференции по интегрированным микросхемам и чиплетам в Шанхае, обсудив прогресс CXMT в разработке архитектуры DRAM 4F² следующего поколения, а также других инновационных технологий, таких как гибридная сборка.
В ходе выступления доктор Каньюй заявил, что CXMT представит продукт DDR5 RDIMM на базе архитектуры ячеек памяти 4F² до конца 2026 года, что примерно на два года опережает дорожную карту Samsung по внедрению этой архитектуры.
Для тех, кто может быть не в курсе, Registered Dual In-Line Memory Module (RDIMM) действует как аппаратный буфер, который удерживает входящие сигналы от ЦП ровно один тактовый цикл, прежде чем передать их на чипы памяти, снижая электрическую нагрузку и позволяя операторам серверов подключать больше модулей ОЗУ большой емкости к одной материнской плате.
Между тем, процесс 4F² — это архитектура ячеек памяти следующего поколения, в которой компоненты одной ячейки памяти (один транзистор и один конденсатор) располагаются вертикально, а не горизонтально. Такая конструкция уменьшает площадь одной ячейки памяти до идеального квадрата, который измеряется как 4F² (4 × F²), и состоит ровно из 2 битлиний и 2 wordlines. Следует отметить, что битлинии и wordlines — это структуры межсоединений, используемые для управления транзисторами в каждой ячейке памяти. Просто изменив структуру на 4F², производители DRAM могут увеличить плотность ячеек каждого ИС на 30–50 процентов.
Конечно, CXMT изучает эту технологию уже несколько лет, опубликовав свою первую статью об архитектуре 4F² еще в 2021 году. Кроме того, перейдя от архитектуры 6F² к 4F², CXMT сможет сократить площадь ячейки памяти примерно на 33 процента при том же размере техпроцесса, что потребует новых транзисторов. Тем не менее, весьма вероятно, что первоначальная реализация CXMT будет частичной производной архитектуры 4F² на их новом DRAM-процессе G5 15 нм.
Более того, чтобы преодолеть ограничения миниатюризации техпроцесса, CXMT теперь, по-видимому, использует технологию High-k *Metal Gate (HKMG), которая заменяет старый изолятор на основе кремния таким материалом, как оксид гафния (HfO₂). Это не только снижает утечку тока и сопутствующие потери тепловой энергии, но и повышает энергоэффективность и открывает путь к более высоким скоростям, поскольку транзисторы могут переключаться гораздо быстрее, чем это было бы возможно с поликремниевыми затворами. CXMT теперь, по-видимому, применяет эту технологию к своему производственному процессу G4 DRAM — который, как широко полагают, соответствует узлу 1z — а также к продуктам LPDDR5X.
Следует отметить, что CXMT в настоящее время агрессивно расширяет свои производственные мощности до 300 000 пластин в месяц — за счет трех 300-мм фабрик DRAM мощностью около 100 000 пластин в месяц каждая — к концу этого года. К концу 2026 года компания также будет иметь мощности, ориентированные на HBM, около 50 000 пластин в месяц.
Более того, производитель памяти в настоящее время строит две новые фабрики в Шанхае и Хэфэе, что увеличит его производственные мощности до 600 000 пластин в месяц. Фактически, к 2030 году CXMT находится на пути к тому, чтобы обогнать Micron по объему производства.
Между тем, Samsung, вероятно, представит архитектуру 4F² с процессом B1b — своим первым техпроцессом DRAM менее 10 нм, официально переименованным в D0a — где ячейки памяти и окружающая схема управления, известная как peri, будут изготавливаться на отдельных пластинах, а затем соединяться посредством гибридной сборки пластина к пластине, тем самым размещая ячейки памяти поверх peri. Поскольку гибридная сборка довольно дорога, вполне разумно предположить, что Samsung установит на DRAM нового поколения заоблачную цену.
*Facebook, *Instagram и *WhatsApp принадлежат компании *Meta Platforms Inc., деятельность которой признана экстремистской и запрещена на территории Российской Федерации.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Rohail Saleem
