Компания ChangXin Memory Technologies (CXMT) ответила на заявление Micron о том, что компоновка ячеек DRAM по технологии 4F² не дает реального прироста плотности. В отчете для инвесторов, опубликованном 31 октября, CXMT заявила, что ее следующая технологическая платформа шестого поколения построена на базе 4F² и уже прошла проверку инженерных образцов, сообщает Yicai. Первый продукт с использованием 4F² будет представлен заказчикам в виде образцов к концу этого года, а массовое производство начнется после подтверждения заказчиками и в зависимости от рыночного спроса.
Спор идет о том, что ограничивает плотность битов в DRAM. Президент и технический директор Micron Скотт ДеБоер на технологическом вебинаре компании 21 октября заявил, что Micron продолжит использовать технологию 6F² и будет развивать 3D DRAM. Он отметил, что Micron изучала 4F² более 20 лет и не нашла рабочего пути масштабирования, назвав часть дискуссии о 4F² «дымовой завесой». По его мнению, теоретический предел плотности определяется шагом и размером конденсатора, а не компоновкой транзистора.
CXMT не оспаривает физические законы. Компания назвала достижение более высокой плотности битов сложной системной проблемой, где линии слов, линии битов и структуры конденсаторов конкурируют за пространство. При заданном техпроцессе каждая архитектура имеет свою кривую затрат, связанную со сложностью интеграции процесса, количеством литографических шагов и тепловым бюджетом. Производители памяти выбирают разные пути, исходя из своей технологической истории, существующих производственных линий, патентных портфелей и структуры расходов, и эти выборы заслуживают понимания и уважения, заявила компания.
Samsung и SK hynix по-прежнему разрабатывают 4F², согласно анализу от 1 ноября, опубликованному на QQ News. Samsung продемонстрировала прототип 16 Гбит 4F² на ISSCC 2026, который сочетает вертикальные транзисторы с гибридной медной межсоединением пластина-к-пластине. Компания планирует использовать 4F² на своих узлах 10a, 10b и 10c перед переходом к 3D DRAM на узле 10d, а ее технический директор по полупроводникам Сон Джэ Хёк 12 октября заявил, что работа над 4F² продолжается. SK hynix использует вертикальный затвор, который, по их словам, повышает плотность битов более чем на 20%. В июле компания проверила операции чтения и записи на тестовых массивах и планирует представить доклад о 4F² без конденсатора на IEDM в декабре.
Версия CXMT использует так называемый вертикальный затвор (Vertical Surrounded Gate, VSG) транзистор. Компания утверждает, что работает над 4F² с момента своего основания и владеет более чем 300 опубликованными патентными семействами по этой технологии. Поскольку 4F² повышает плотность за счет изменения компоновки ячейки, а не уменьшения ширины линий, он снижает коэффициент площади с 6 до 4 при размерах, достижимых с помощью DUV-литографии. CXMT заявила, что модуль DDR5 RDIMM, сочетающий 4F² с гибридным соединением, появится к концу года. Аналитики предупреждают, что серверные модули имеют строгие требования к надежности, поэтому первое поколение будет в основном служить для проверки технологии.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Pandaily
