Память Z-Angle (ZAM) от Intel приближается к завершению, поскольку компания стремится занять свою долю на бурно развивающемся рынке ИИ, бросая вызов HBM как жизнеспособной альтернативе.
Память ZAM от Intel бросает вызов HBM как крупному инновационному решению в сегменте высокой пропускной способности и большой емкости, предлагая вдвое большую скорость, чем HBM4
Z-Angle Memory, или ZAM, вызывает много разговоров в сегменте памяти. Этот грядущий стандарт памяти разрабатывается Intel и SoftBank и призван стать энергоэффективной заменой HBM с высокой плотностью.
Недавно были раскрыты новые подробности, дающие больше информации о памяти ZAM. Во-первых, новая память будет обеспечивать вдвое большую пропускную способность по сравнению с HBM4, даже конкурируя со стандартом HBM4E следующего поколения, который ожидается не ранее следующего года. Сама ZAM нацелена на период 2028–2030 годов, так что до выхода проекта на производственный уровень пройдет еще некоторое время.
На симпозиуме VLSI Symposium 2026 года Intel и дочерняя компания SoftBank, SAIMEMORY, представят новые детали и уже продемонстрировали некоторые особенности грядущего стандарта. Новые сведения осветили различные аспекты, которые мы обсудим подробно.
Начнем с самой конструкции: ZAM, или память Z-Angle, демонстрируется в виде 9-слойной стековой конструкции. Один стек включает восемь стеков DRAM, каждый с кремниевой подложкой толщиной 3 микрона между стеками. Основная подложка содержит один логический контроллер, обслуживающий все девять стеков DRAM.
Имеется три основных слоя TSV (Through-Silicon-Vias), каждый из которых содержит 13,7 тыс. межсоединений, использующих гибридное соединение. Каждый слой обеспечивает 1,125 ГБ, что дает нам емкость 10 ГБ на стек или 30 ГБ во всем корпусе. Стек ZAM имеет размеры 171 мм² (15,4 x 11,1 мм), а память обеспечивает пропускную способность 0,25 Тбит/с на мм², что эквивалентно 5,3 ТБ/с на стек.
Теперь поговорим о преимуществах памяти HBM. В настоящее время HBM является предпочтительным выбором для высокопроизводительных ускорителей ИИ и графических процессоров. Но по мере масштабирования HBM возникают структурные проблемы, включая увеличение тепловыделения и более высокое энергопотребление. ZAM решает три основные задачи: высокая плотность, широкая пропускная способность и низкое энергопотребление. Структурные характеристики ZAM позволяют создавать вертикальную сборку, которая отлично подходит для рассеивания тепла без необходимости прохождения через слой проводки.
Ключевые преимущества ZAM:
- Более высокая плотность пропускной способности: ~0,25 Тбит/с/мм² (по сравнению с более низкими показателями в HBM)
- Более низкое энергопотребление: Оптимизировано для низкого энергопотребления при передаче данных
- Превосходное рассеивание тепла: Вертикальная архитектура обеспечивает лучшее управление тепловыми режимами (HBM страдает от накопления тепла из-за слоев проводки)
- Ультравысокое штабелирование: Поддерживает 9+ слоев с чрезвычайно тонким кремнием 3 мкм на стек и технологией via-in-one TSV
- Инновационные технологии: Беспроводной ввод/вывод, связанный магнитным полем + передовое соединение для масштабируемости
- Оптимизация для ИИ: Устраняет структурные ограничения HBM для рабочих нагрузок генеративного ИИ
Конечная цель ZAM — достижение плотной 3D-памяти с использованием технологии 3.5D-упаковки, которая размещает вертикальные и горизонтальные слои, включая высокоскоростной стек большой памяти, шины питания/земли, кремниевую фотонику и устаревшие вводы/выводы, на одной подложке. ZAM, безусловно, выглядит очень многообещающе, и мы с нетерпением ждем первой демонстрации в реальном времени, но чтобы она была признана по-настоящему конкурентоспособным решением по сравнению с HBM, ей необходимо найти реальное применение, а какой лучший способ сделать это быстро, чем в условиях полномасштабного развития рынков ИИ.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Hassan Mujtaba
