NAND Flash нового поколения от Samsung для SSD будет предлагать более 900 слоев, при этом два стека будут соединены вместе для увеличения емкости хранилища.
Samsung намерена соединить два NAND-чипа, создав крупное 900–1000+ слойное решение для хранения данных для будущих SSD
В прошлом месяце мы сообщали, что Samsung работает над 1000-слойным NAND, используя совершенно новые материалы и технологии соединения. На симпозиуме VLSI 2026 Samsung представила свои полные планы по достижению этой цели.
В своем последнем слайде Samsung заявляет о большом спросе на SSD высокой емкости и о работе над ускоренной дорожной картой, ориентированной на увеличение количества слоев, которое может вместить каждый NAND-чип. В настоящее время производители NAND вошли в эру 400-слойных чипов и нацелены на расширение до 1000 слоев для приложений с высокой емкостью примерно к 2030 году.
К 2029 году Samsung планирует достичь 420-слойных NAND-решений, а к 2030 году — более 560 слоев. Затем, в начале следующего десятилетия, Samsung планирует удвоить этот показатель, представив решения с более чем 1000 слоями. Удвоение количества слоев повлечет за собой некоторые недостатки, связанные с деформацией и стоимостью, но Samsung уже работает над их устранением. Производитель NAND заявляет, что успешно реализовал будущую конструкцию с контролем деформации, а новые процессы также обеспечивают усовершенствованную коррекцию наложения, оставляя пространство для дальнейшего улучшения.
Для достижения ошеломляющих 900 слоев V-NAND Samsung пришлось преодолеть несколько препятствий, одним из основных из которых была деформация пластины. Но эта проблема была решена с внедрением конструкции Upper Chuck Design. Другие исправления включали ошибки смещения с использованием технологий коррекции наложения (Overlay Correction).
В настоящее время SK Hynix лидирует в гонке, поскольку первой разработала и предложила технологию 321-слойного NAND. Уже ведется работа над 400-слойным NAND, которая будет достигнута с использованием вертикального соединения (Vertical Bonding) у Samsung и гибридного соединения (Hybrid Bonding) у SK Hynix.
Samsung представляет свое многослойное решение 900/1000-слойного NAND, которое будет вмещать два 450-слойных чипа, каждый из которых соединен с помощью CMB (Cell-Multi Bonding). Доктор Иэн Катресс из MoreThanMoore утверждает, что с таким решением SSD QLC объемом 8 ТБ сможет предложить емкость до 32 ТБ.
В то же время китайская YMTC (Yangtze Memory Technologies Co) также ускоряет свои планы по NAND. Компания уже предлагает устройства с 294-слойным и 232-слойным NAND и сокращает отставание от зарубежных компаний, таких как Samsung, SK Hynix и Micron. YMTC также вкладывает большие средства в новые фабрики, которые призваны удвоить текущую мощность производства пластин в критический момент, когда рынки сталкиваются со значительным разрывом спроса и предложения из-за гиперцикла ИИ.
Подход с укладкой NAND для достижения 900+ слоев все еще находится на стадии прототипа, но он прокладывает путь для будущего расширения хранилищ. Цель выпуска 1000-слойного V-NAND намечена на 2030 год, а 400+ слойные решения появятся в ближайшие годы.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Hassan Mujtaba
