SK Hynix начала поставки образцов памяти нового поколения HBM4E, предлагающей скорость до 16 Гбит/с и ёмкость 48 ГБ.
SK Hynix Соревнуется с Samsung в Поставках Первых Модулей DRAM HBM4E для ИИ-Решений Нового Поколения
Ускорение развития ИИ подтолкнуло производителей DRAM к активизации планов по разработке. В связи с этим SK Hynix соревнуется со своим конкурентом Samsung в поставке первых решений памяти HBM4E партнёрам, которые будут использовать её для питания своих центров обработки данных следующего поколения.
Память HBM4E сыграет решающую роль для ЦОД нового поколения, поскольку она будет питать такие мощные чипы, как NVIDIA Rubin Ultra и AMD Instinct MI500. Эти две чиповые платформы призваны принести значительный доход в сегменте ИИ, и производители DRAM активно их поддерживают.
Поставки образцов от SK Hynix начались всего через несколько недель после выставки Computex 2026, где компания представила эту же память HBM4E с ёмкостью до 48 ГБ и скоростью до 16 Гбит/с. Samsung также присутствовала на выставочной площадке, демонстрируя свои технологии HBM4E и HBM5 с использованием HPB (Heat Path Block).
Пресс-релиз: SK hynix объявила сегодня, что начала отгрузку образцов HBM4E, DRAM нового поколения для ИИ, ключевым заказчикам.
«Компания смогла своевременно поставить образцы 12-слойной HBM4E благодаря нашему передовому опыту в разработке и производстве HBM», — заявили в SK hynix, добавив, что «Мы будем тесно сотрудничать с партнёрами для своевременного массового производства».
12-слойная HBM4E демонстрирует улучшения как в производительности, так и в энергоэффективности. Продукт обеспечивает максимальную скорость обработки данных 16 Гбит/с на контакт и энергоэффективность, превышающую предыдущие модели более чем на 20 процентов. Эти улучшения повышают возможности обработки данных для обучения и инференса ИИ.
HBM4E снижает задержку передачи данных благодаря новейшему интерфейсу и оптимизации конструкции, сохраняя при этом стабильную работу в средах с высокой пропускной способностью. Это позволяет клиентам повысить эффективность обработки данных для ИИ-ЦОД и крупномасштабных вычислительных систем.
SK hynix использует технологию Advanced MR-MUF для продуктов HBM4E, чтобы достичь ёмкости 48 ГБ в 12-слойной сборке, обеспечивая при этом структурную стабильность. В частности, компания также повысила термостойкость на 17 процентов по сравнению с предыдущей HBM4, что обеспечивает стабильную работу микросхем памяти в средах высокопроизводительных вычислений.
SK hynix успешно поставляет оптимизированные решения памяти клиентам, опираясь на свой опыт в массовом производстве и поставках HBM3, HBM3E и HBM4. Используя проверенную рынком надёжность продукции и возможности поставок, компания поддержит развитие инфраструктуры нового поколения, помогая устранять узкие места в системах ИИ.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Hassan Mujtaba
