Спинтронное устройство памяти на лазерном управлении работает в 1000 раз быстрее DRAM

спинтроника память переключение энергоэффективность антиферромагнетики пикосекунды tomshardware.com

Исследователи из Токийского университета продемонстрировали энергонезависимое магнитное переключающее устройство на основе $\text{Mn}_3\text{Sn}$, способное менять биты всего за 40 пикосекунд при минимальном тепловыделении, что потенциально открывает путь к менее энергозатратному оборудованию для ИИ и системам памяти. — tomshardware.com

null

Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.

Похожие новости: