«The Information» сообщила, что TSMC рассматривает возможность производства 3D DRAM по запросу Nvidia, поскольку растущий спрос на оборудование для ИИ создает дефицит глобальных поставок DRAM и повышает цены. Если это предложение будет реализовано, это может означать новый, хотя и подверженный циклическим рискам, бизнес для TSMC и значительно расширить ее роль в цепочке поставок ИИ. Со своей стороны, TSMC заявляет, что является чистым производителем логических микросхем и планирует им оставаться, что по сути является опровержением сообщения. «TSMC всегда фокусируется на нашем основном бизнесе, которым является производство специализированных интегральных схем», — заявил представитель TSMC изданию Tom’s Hardware. «Наша миссия — быть надежным поставщиком технологий и мощностей для мировой индустрии логических интегральных схем на долгие годы».
Несмотря на опровержение, по данным двух источников, знакомых с инициативой, на которые ссылается «The Information», TSMC начала подготовку планов по производству 3D DRAM после запроса от Nvidia, своего крупнейшего клиента. Инициативу, как сообщается, курирует Сюй Гоцзинь, вице-президент TSMC, отвечающий за передовую упаковку, и бывший глава тайваньского подразделения Micron. Усилия предпринимаются на фоне повсеместного дефицита памяти, который превратил память из товара в стратегический актив, определяющий, сможет ли компания отгрузить свою продукцию клиентам.
Хотя TSMC тесно сотрудничает с производителями DRAM, упаковывая память в системы-в-упаковках (SiP) для своих клиентов, компания не обладает опытом и производственными мощностями для производства DRAM, не говоря уже о 3D DRAM. Между тем, учитывая, что 3D DRAM еще далека от реализации даже для крупных производителей памяти, реализация стратегии 3D DRAM не сможет решить проблему дефицита памяти как минимум в течение пяти лет.
В отличие от традиционной DRAM, где ячейки памяти расположены в одной плоскости, 3D DRAM располагает несколько уровней ячеек памяти вертикально для увеличения емкости на пластину. Все три ведущих производителя DRAM — Micron, Samsung и SK hynix — работают над своими проектами 3D DRAM. Однако стратегия DRAM от Micron включает как минимум четыре дополнительные планарные технологии процесса DRAM, прежде чем 3D DRAM станет реальностью.
Хотя TSMC, возможно, обладает лучшими в отрасли технологиями логических процессов, производство DRAM требует совершенно иных производственных процессов, которые TSMC пришлось бы разработать, если бы она решила производить память для своих клиентов. Между тем, производство 3D DRAM требует совершенно иных методов изготовления для создания нескольких уровней ячеек памяти при контроле дефектов и поддержании приемлемой производительности. Разработать производственный процесс 3D DRAM без конкурентоспособной планарной технологии процесса DRAM практически невозможно, а у TSMC ее нет.
Одним из вариантов для TSMC войти в бизнес DRAM было бы приобретение небольшого производителя специализированной памяти, имеющего собственные производственные мощности. Это дало бы TSMC надежный путь к производству передовой DRAM без необходимости разрабатывать базовую технологию памяти и интеллектуальную собственность с нуля. Однако у небольших производителей нет передовых узлов массовой DRAM, поэтому TSMC все равно пришлось бы инвестировать миллиарды долларов и годы исследований и разработок в разработку передовой технологической линии для DRAM.
Однако выход на рынок производства DRAM подверг бы TSMC существенным рыночным рискам. Дефицит памяти часто стимулирует расширение мощностей, что в конечном итоге приводит к перепроизводству, снижению цен и прибыльности. Такая неопределенность, безусловно, могла бы заставить TSMC дважды подумать, прежде чем идти по пути DRAM. Кроме того, выход на рынок DRAM мог бы осложнить отношения TSMC с крупными производителями DRAM в целом, и особенно с SK Hynix, которая в 2024 году сотрудничала с foundry для производства логических базовых кристаллов для продуктов HBM следующего поколения.
Потенциальный выход TSMC на рынок производства DRAM также мог бы вызвать вопросы антимонопольного законодательства, особенно если компания объединит свое доминирующее положение в производстве передовой логики, лидирующие позиции в передовой упаковке чипов и растущее производство памяти. Регуляторы могли бы изучить, позволит ли такая вертикальная интеграция TSMC отдавать предпочтение собственным продуктам памяти или ставить в невыгодное положение конкурентов, не имеющих такой вертикальной интеграции. С другой стороны, собственная разработка DRAM компанией TSMC также могла бы усилить конкуренцию, представив еще одного поставщика на рынке, где доминируют всего три производителя.
Тем не менее, TSMC не обязательно производить DRAM, чтобы извлечь выгоду из растущего спроса на передовую память. Вместо этого она могла бы захватить большую долю стоимости, генерируемой DRAM, производя сложные логические базовые кристаллы для HBM, интегрируя память с процессорами с использованием своей технологии гибридной склейки SoIC и разрабатывая индивидуальные решения для памяти с партнерами, такими как GUC и признанные производители DRAM. Такой подход позволил бы TSMC расширить свое присутствие на рынке передовой памяти без необходимости инвестировать миллиарды долларов в разработку конкурентоспособных технологических процессов DRAM с нуля и/или строительство дополнительных фабрик за десятки миллиардов долларов.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Anton Shilov
