Wolfspeed получит $1,5 млрд от правительства США на наращивание внутреннего производства SiC и GaN в целях безопасности

Wolfspeed минобороны сша Sic Gan полупроводники безопасность datacenterdynamics.com

Wolfspeed получит $1,5 млрд от Минобороны США на развитие производства SiC и GaN. Финансирование укрепит национальную безопасность и оборонную промышленность. Ускорьте разработку передовых полупроводников!

Производитель чипов Wolfspeed получил условное обязательство по предоставлению кредита на 30 лет на сумму до 1,5 миллиарда долларов от Министерства обороны США (стилизованное как Военное ведомство).

Средства будут направлены на поддержку разработки и производства в США материалов на основе карбида кремния (SiC) и силовых устройств с широкой запрещенной зоной, с дополнительным акцентом на приложения, связанные с национальной безопасностью США, говорится в заявлении Wolfspeed.

Компания также использует финансирование для модернизации своих возможностей в области эпитаксии нитрида галлия (GaN) для коммуникационной инфраструктуры следующего поколения и систем радиоэлектронной борьбы, а также для разработки возможностей радиационной стойкости для своих текущих продуктов SiC и будущих продуктов GaN.

Соглашение о кредите подлежит существенной юридической проверке и множеству условий, включая переговоры и окончательное согласование договоров, значительные условия закрытия сделки, государственные разрешения и одобрения, ассигнования и необходимые согласия третьих сторон, заявила Wolfspeed.

Производитель чипов также будет обязан выпустить для Министерства обороны варранты, основанные на VWAP, на покупку в совокупности до 7,5 процента полностью разводненного акционерного капитала Wolfspeed. Варранты будут выпускаться пропорционально по мере и в момент финансирования траншей, сообщила компания.

Карбид кремния — это синтетически производимое кристаллическое соединение кремния и углерода. Этот материал обладает рядом преимуществ перед традиционным кремнием для силовых применений, включая лучшую теплопроводность, более высокие скорости переключения и меньшие потери, что делает его особенно подходящим для производства высоковольтных силовых устройств.

Нитрид галлия (GaN), в свою очередь, является материалом с широкой запрещенной зоной и может выдерживать большие объемы мощности, чем кремний, что означает, что чипы на основе GaN могут быть более эффективными и долговечными, чем их кремниевые аналоги.

«SiC и GaN имеют критически важное значение для национальной безопасности, — заявил Роберт Фюрле, генеральный директор Wolfspeed. — Благодаря этому финансированию компания будет иметь хорошие возможности не только для продолжения обслуживания Министерства обороны, но и для расширения своих возможностей на благо национальной безопасности США в целом».

«Мы считаем, что масштаб и 30-летний срок действия этого условного обязательства отражают долгосрочную важность технологий и производственных мощностей, которые Wolfspeed создала в Соединенных Штатах. Это финансирование укрепит наше дальнейшее развитие материалов на основе карбида кремния и силовых устройств с широкой запрещенной зоной, усилив наши усилия по созданию более устойчивой полупроводниковой и оборонной промышленной базы США».

Основанная в Северной Каролине в 1987 году, Wolfspeed является ведущим мировым производителем пластин и устройств из карбида кремния. Однако в последние годы компания сталкивалась с сокращением спроса на свои 150-мм пластины, и в январе 2025 года выставила на продажу свой объект недалеко от Далласа, штат Техас, по неуказанной цене.

В июне 2025 года компания подала заявление о банкротстве по главе 11 в рамках соглашения о реструктуризации с кредиторами, успешно завершив финансовую реструктуризацию в сентябре того же года.

Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.

Похожие новости: