Новости: 3D NAND

Суд Мюнхена выдал YMTC два запрета против Micron по патентам на 3D NAND — последний этап многолетней трансграничной судебной битвы между конкурентами на рынке памяти. Оспорьте решения!

Китайский гигант DRAM CXMT готовится к производству 3D NAND. Изучите планы компании по созданию научно-исследовательской линии и освоению новых технологий памяти. Узнайте, как это повлияет на рынок и самодостаточность Китая в сфере чипов.

Узнайте о спецификации HBF от СанДиск и СК Хайникс, обещающей до 3 ТБ/с пропускной способности для систем вывода ИИ. Пока интерес проявляют лишь четыре компании — ознакомьтесь с деталями и перспективами технологии.

Kioxia и Sandisk начали поставки образцов 3D NAND BiCS10: 332 активных слоя и плотность записи более 29 Гбит/мм2. Новинка нацелена на дата-центры.

SK hynix анонсировала крупный план по вложению 712,5 млрд долларов в свои операции в Южной Корее, но единственные детализированные инвестиции касаются расходов на новую фабрику NAND и объект упаковки.

Micron заложил фундамент Fab 10B в Сингапуре — мегазавода по производству 3D NAND, который через 10 лет более чем удвоит региональные мощности компании. Объект стоимостью $24 млрд будет оснащен передовыми инструментами для поддержки AI и ЦОД.

Аналитики прогнозируют, что SanDisk и другие ключевые поставщики памяти 3D NAND резко поднимут цены на чипы корпоративного класса в ближайшие месяцы из-за колоссального спроса со стороны сектора ИИ. Ожидается рост более чем на 100% в квартал.

Samsung опубликовала подробный отчёт об экспериментальной архитектуре NAND, способной сократить главный источник энергопотребления до 96 %. В работе описан ферроэлектрический транзистор FeFET для будущих 3D‑NAND, обещающий значительные энергосбережения.