Новости: mos₂
TSMC и учёные совершили прорыв в транзисторных технологиях на пути к чипам субнанометрового уровня
TSMC и NYCU нашли способ обойти ограничения нанометровых транзисторов: эпитаксиальный алюминий на канале MoS₂ создает буфер для затвора, снижая утечку и сопротивление. Узнайте, как инженерия поверхности заменяет осаждение новых материалов.

Самое просматриваемое:
- Вот как использовать новую кнопку “Плюс”…
- Bitcoin Depot оштрафован на $18,5 млн – сталкивается…
- WatchGuard бьёт тревогу: критическая уязвимость…
- Оверклокер обновил утилиту для разгона Hydra —…
- Как настроить ComfyUI для генерации изображений ИИ…
- Результаты еженедельного опроса: Samsung Galaxy Z…
- ECARX берет управление бизнесом Flyme OS в свои руки…
- Intel преодолела рубеж в миллион пластин,…
- США прикрыли платформу для хранения паролей, которой…
- Исследователи из MIT возродили 40-летнюю концепцию…