Rapidus привлекла $1,7 млрд от правительства Японии и частных инвесторов на производство 2-нм чипов

Rapidus полупроводники финансирование 2нм япония Tsmc tomshardware.com

Японский производитель чипов Rapidus привлек 250 млрд иен от правительства и частных компаний. По условиям сделки, правительство получит 10% голосующих акций и большую долю не голосующих акций. — tomshardware.com

Государственная компания Японии по производству чипов Rapidus объявила о завершении раунда финансирования на сумму 250 миллиардов иен (1,6 миллиарда долларов США), привлеченного от правительства Японии и 30 частных компаний, включая Sony, Toyota, SoftBank, Canon, Fujitsu, Denso, Kioxia и Seiko Epson. Это происходит на фоне работы компании над массовым производством 2-нм продукции на своей фабрике IIM-1 в Титосе, Хоккайдо, к 2027 финансовому году. Согласно договоренности, правительство первоначально будет владеть примерно 10% голосующих акций Rapidus и большей частью ее не голосующих акций, но оставляет за собой право конвертировать эти акции для получения контрольного пакета в случае финансовых затруднений компании, сообщает Bloomberg. Правительство также приобрело «золотые акции», дающие ему право вето на ключевые корпоративные решения, сообщил журналистам Томосигэ Намбу, сотрудник Министерства экономики, торговли и промышленности Японии. Министерство экономики Японии также планирует почти в четыре раза увеличить бюджетную поддержку передовых полупроводников и разработки ИИ до примерно 1,23 триллиона иен на финансовый год, начинающийся в апреле. Правительство Такаити не полагается только на Rapidus, недавно также добившись от TSMC обязательства по модернизации своих технологий и заводов в Японии. Генеральный директор Ацуёси Койкэ заявил на пресс-конференции в четверг, 26 февраля, что Rapidus ведет активные переговоры с более чем 60 компаниями, заинтересованными в разработке чипов для ИИ, робототехники и периферийных вычислений. «С начала года спрос клиентов на передовые чипы резко возрос», — сказал Койкэ, добавив, что интерес именно к 2-нм техпроцессу усилился, и компания намерена перейти к узлам 1,4 нм и 1 нм после этого. Этот последний раунд государственного финансирования последовал за реальным техническим прогрессом. Rapidus открыла пилотную линию в апреле 2025 года и вскоре после этого, в июле, продемонстрировала работающие 2-нм транзисторы с затвором вокруг (GAA) — архитектуру, которая окружает канал транзистора со всех четырех сторон, а не с трех, улучшая контроль тока и уменьшая утечки по сравнению с конструкциями FinFET. Компания использует литографическое оборудование High-NA EUV от ASML на объекте в Хоккайдо, и, как сообщается, IBM направила около 10 инженеров на площадку в рамках текущего партнерства по передаче технологий. Как мы сообщали ранее в этом месяце, Rapidus планирует начать массовое производство с начальной скоростью 6000 12-дюймовых пластин в месяц, с увеличением до примерно 25 000 в течение первого года. Общий объем инвестиций, необходимых для достижения этой цели, оценивается примерно в 4 триллиона иен; на сегодняшний день из всех источников обязано около 1,7 триллиона иен.

Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.

Похожие новости: