В последние несколько недель Intel привлекала немало внимания на фоне заманчивых перспектив возвращения Apple к сотрудничеству с этим производителем чипов для некоторых процессоров M-серии и не-Pro чипов для iPhone. Однако новая информация от отраслевых инсайдеров в значительной степени исключила возможность использования чипов Apple для iPhone на передовых техпроцессах Intel.
Чипы, произведенные по передовым техпроцессам Intel, будут обладать сниженной способностью к рассеиванию тепла, что исключает использование этих техпроцессов для чипов Apple iPhone
В последние недели GF Securities и DigiTimes сообщили, что Apple может выбрать техпроцесс Intel 18A-P для своих самых бюджетных чипов M-серии, которые ожидаются в 2027 году, а также для не-Pro чипов iPhone в 2028 году. GF Securities пошли еще дальше, отметив, что собственный ASIC Apple, ожидаемый к выпуску в 2028 году, будет использовать упаковку Intel EMIB.
В том же ключе мы недавно отмечали, что Apple уже подписала соглашение о неразглашении с Intel и получила образцы PDK ее передового техпроцесса 18A-P для оценки. Стоит отметить, что техпроцесс Intel 18A-P является первым, поддерживающим 3D-гибридное соединение Foveros Direct, которое позволяет монтировать несколько чиплетов через TSV.
Однако теперь ряд отраслевых инсайдеров, комментируя ситуацию на форуме SemiWiki, развеяли надежды Intel на производство чипов для iPhone. В основе этого удручающего тезиса лежит неудачное решение производителя перейти исключительно на технологию подачи питания с обратной стороны (BSPD) для своих техпроцессов 18A и 14A.
По сути, в отличие от TSMC, которая предлагает некоторые техпроцессы с BSPD и без нее, дополняя свой общий портфель, Intel полностью сделала ставку на BSPD для своих передовых техпроцессов 18A и 14A.
Конечно, BSPD обеспечивает некоторый прирост производительности, поскольку чип питается через более короткие и толстые металлические пути с обратной стороны, снижая падение напряжения и позволяя достигать более высоких и стабильных рабочих частот, а также освобождая пути маршрутизации на передней стороне, что увеличивает плотность транзисторов или снижает перегрузку и длину проводников.
Однако для мобильных чипов прирост производительности от этого подхода весьма незначителен. Кроме того, этот подход приводит к усилению эффекта саморазогрева (SHE), требуя дополнительного охлаждения кристалла. Фактически, необходимый радиатор должен быть “примерно на 20°C холоднее при использовании BSPD для той же температуры кристалла в горячих точках (поскольку вертикальное рассеивание тепла плохое, а боковое еще хуже из-за отсутствия толстой кремниевой подложки), и это просто невозможно во многих сценариях использования, которые полагаются на воздушное охлаждение или имеют максимально допустимую температуру корпуса”. (См. комментарии IanD в этой ветке).
Из-за этих тревожных тепловых проблем отраслевые инсайдеры считают, что у Intel “нет никаких шансов” производить чипы для iPhone в ближайшее время, как отметил Jukan в своем комментарии в X. Конечно, процессоры M-серии все еще могут оставаться возможным вариантом.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Rohail Saleem
