Память с высокой пропускной способностью (HBM) не ограничится серверами, поскольку последний отчет гласит, что Samsung применяет уникальную технологию корпусирования, которая сделает смартфоны и планшеты совместимыми с этими сверхбыстрыми чипами DRAM. Цель корейского гиганта — превратить мобильные устройства в настоящих монстров для локального ИИ, и, судя по прибыли, которую Samsung получает во время текущего дефицита, компания, безусловно, не хочет упустить ни одного рынка.
Цель состоит в разработке технологии HBM, созданной специально для смартфонов и планшетов, чтобы избежать ненужных проблем с пространством и энергопотреблением
В традиционной мобильной DRAM используется соединение медными проводами, но ограничения ее выводов ввода-вывода в диапазоне 128–256 приводят к огромным потерям сигнала при повышении эффективности и снижении тепловыделения. По данным ETNews, Samsung намерена оснащать смартфоны и планшеты HBM, используя медные столбики с ультравысоким соотношением сторон и технологию Fan-Out Wafer Level Packaging (FOWLP) — ту же, что используется в таких SoC, как Exynos 2600, для улучшения термостойкости и повышения производительности при длительных нагрузках.
Благодаря достижениям Samsung в области вертикального укладочного столбика меди (VCS) производитель может гарантировать, что чипы HBM будут успешно работать в мобильных устройствах, несмотря на ограничения по размеру, укладывая кристаллы DRAM в конфигурации «лестницы» и заполняя промежутки медными столбиками. В отчете говорится, что Samsung значительно увеличила соотношение сторон медных столбиков в корпусировании VCS с существующих 3–5:1 до 15:1–20:1, увеличив пропускную способность. К сожалению, этот подход приведет к уменьшению диаметра медных столбиков.
Если этот диаметр упадет ниже 10 микрометров, эти медные столбики могут изогнуться или, что хуже, полностью сломаться, и здесь на помощь приходит FOWLP, обеспечивая повышенную структурную целостность за счет вывода медной проводки наружу. Использование FOWLP также увеличивает количество выводов ввода-вывода, что дополнительно способствует увеличению пропускной способности на 30 процентов. Поскольку Samsung в настоящее время разрабатывает эту технологию, трудно определить, когда дебютирует HBM для мобильных устройств.
Судя по текущему графику, Samsung может интегрировать ее в Exynos 2800, который, по слухам, станет первым SoC компании, оснащенным собственным графическим процессором, или в Exynos 2900. Также сообщается, что Apple внедрит технологию HBM в свои iPhone, но не подтверждено, будет ли компания из Купертино закупать эту технологию у Samsung. Huawei также изучает эту технологию, но маловероятно, что корейский производитель войдет в цепочку поставок китайского OEM-производителя.
Кроме того, учитывая, насколько дорогой стала мобильная DRAM, мы полагаем, что компании-производители смартфонов начнут обдумывать целесообразность чипов HBM в своих устройствах только после стабилизации цен. Если предположить, что ОЗУ останется запредельно дорогой в ближайшие пару лет, то улучшение возможностей локального ИИ на смартфонах и планшетах может по-прежнему ограничиваться чипсетом и накопителем.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Omar Sohail
