Компания CXMT, вероятно, совершила свой крупнейший прорыв в направлении технологического процесса 1a DRAM и далее, успешно применив в транзисторах DRAM новый материал, снижающий ток утечки, что открывает путь к освоению более совершенных норм производства DRAM.
CXMT уже использует технологию High-k *Metal Gate в своих транзисторах DRAM
По мере уменьшения компонентов до нанометрового масштаба стандартные изолирующие слои из диоксида кремния (SiO₂) теряют эффективность, становясь настолько тонкими, что ток начинает протекать сквозь них за счёт квантового туннелирования.
Чтобы преодолеть это ограничение миниатюризации, CXMT, по-видимому, использует технологию High-k *Metal Gate (HKMG), которая заменяет старый изолятор на основе кремния на такой материал, как оксид гафния (HfO₂). Для тех, кто не в курсе: буква «k» здесь обозначает диэлектрическую проницаемость — способность материала изолировать электричество. Поскольку гафний имеет гораздо более высокое значение «k», чем диоксид кремния, это открывает путь к более агрессивному масштабированию процесса DRAM, позволяя хранить больше заряда при том же напряжении.
Технология HKMG также заменяет старый поликремниевый электрод затвора на специальные металлические стеки, устраняя «мёртвую зону» поликремниевого обеднения, которая снижает эффективность.
Массивы DRAM состоят из миллиардов крошечных ячеек, каждая из которых содержит один транзистор (переключатель) и один конденсатор (накопитель заряда). Технология HKMG не только снижает ток утечки и сопутствующие тепловые потери, но и повышает энергоэффективность, а также открывает путь к более высоким скоростям, поскольку транзисторы могут переключать состояния гораздо быстрее, чем при использовании поликремниевых затворов.
Поскольку CXMT, по всей видимости, применяет эту технологию в рамках своего производственного процесса G4 DRAM (который, как считается, соответствует узлу 1z), а также в продуктах LPDDR5X, можно с уверенностью предположить, что компания готовится к переходу на более продвинутый узел 1a. Это тем более вероятно, учитывая, что CXMT уже разрабатывает производственный процесс G5 DRAM следующего поколения с нормами 15 нм.
Отметим, что китайский гигант DRAM, по сообщениям, находится на стадии риск-производства HBM2E (третьего поколения HBM) с использованием своего 18-нм процесса G3 DRAM. Компания также предоставляет образцы HBM3 на своём процессе G4. Кроме того, микросхемы памяти DDR6 производства CXMT завершили этап верификации R&D, приблизившись к серийному производству.
В противовес действиям CXMT «большая тройка» игроков на рынке памяти — Samsung, SK hynix и Micron — сейчас переходит на суб-10-нм узел D0a следующего поколения, одновременно разрабатывая 3D DRAM (вертикальное расположение ячеек) и процесс 4F² — архитектуру ячеек памяти нового поколения, где компоненты одной ячейки (один транзистор и один конденсатор) располагаются вертикально, а не горизонтально. Такое изменение конструкции уменьшает площадь поверхности одной ячейки до идеального квадрата размером 4 × F², который состоит ровно из двух битовых линий и двух линеек слов. Обратите внимание, что битовые линии и линейки слов — это соединительные структуры, используемые для управления транзисторами внутри каждой ячейки.
Рост мощностей CXMT
CXMT активно наращивает свои производственные мощности. Ожидается, что к концу года они достигнут 300 000 пластин в месяц по сравнению с текущими 200 000 пластин в месяц. Кроме того, мощности, ориентированные на HBM, составят около 50 000 пластин в месяц.
Более того, производитель памяти строит два новых завода в Шанхае и Хэфэе, что позволит увеличить объём производства до 600 000 пластин в месяц. Фактически, CXMT уже сейчас на пути к тому, чтобы обогнать Micron по объёму производства к 2030 году.
Интересно, что ожидается, что мощности CXMT будут увеличиваться примерно на 100 000 пластин в месяц ежегодно в период с 2026 по 2031 год, когда общая мощность достигнет ошеломляющих 800 000 пластин в месяц!
*Facebook, *Instagram и *WhatsApp принадлежат компании *Meta Platforms Inc., деятельность которой признана экстремистской и запрещена на территории Российской Федерации.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Rohail Saleem
