Южнокорейский производитель чипов Samsung планирует внедрить высокоапертурную экстремальную ультрафиолетовую литографию (High-NA EUV) на своих производственных мощностях для выпуска чипов по 1-нанометровому техпроцессу. Об этом сообщил вице-президент Samsung Electronics по технологиям Чанмин Пак (ChangMin Park), добавив, что Samsung будет использовать новейшие литографические машины для серийного производства таких чипов. Они могут быть запущены в массовое производство уже в 2030 году, о чем топ-менеджер Samsung рассказал на конференции в Южной Корее.
Вице-президент Samsung: недостаточная отработка High-NA привела к задержке внедрения
Прогресс в производстве полупроводников наталкивается на ограничения по мере уменьшения размеров схем. Размеры схем зависят от длины волны используемого света, и когда производители чипов сталкиваются с уменьшением размеров, они упираются в фундаментальный предел, который невозможно преодолеть без уменьшения длины волны. Однако числовая апертура линзовой системы, используемой в оборудовании, помогает производителям: более высокая апертура позволяет уменьшать размеры печатаемых схем.
В этом отношении, хотя обычные EUV-машины ограничены длиной волны 13,5 нанометра, линзы с более высокой апертурой позволяют производителям печатать более мелкие схемы. Это становится важным при планировании производства технологий следующего поколения, таких как 1-нанометровые узлы, которые обычно обозначаются в ангстремах: один ангстрем равен 0,1 нанометра.
Хотя машины ASML High NA EUV с числовой апертурой 0,55NA начали поставляться пару лет назад, их внедрение, похоже, снова задерживается. Первый такой сигнал поступил от TSMC: в прошлом году появились сообщения, что тайваньская компания рассматривает такие альтернативы, как фотомаски с пленками (pellicles), для создания более совершенных чипов вместо использования машин High NA EUV.
Аналогичным образом вице-президент Samsung Electronics по технологиям Чанмин Пак сегодня в Южной Корее заявил, что его компания будет использовать машины High NA EUV для технологий, начиная с 1-нанометрового техпроцесса. Пак сделал это заявление на конференции Next-Generation Lithography + Patterning 2026 и отметил, что фирма ожидала использовать эти машины для серийного производства по 2-нанометровому и 1,4-нанометровому техпроцессам.
Он добавил, что Samsung считает эти машины необходимыми для узлов, начиная с A10 (1 нанометр) и последующих. Машины High NA EUV, позволяя получать меньшие размеры схем, обеспечивают печать по одному шаблону. Без более высокой апертуры традиционные машины low NA EUV требуют многократного экспонирования (multi-patterning), что увеличивает затраты, сложность и количество дефектов в конечном продукте.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Ramish Zafar
