Разборка показала: «7nm metal pitch» китайской SMIC превосходит Intel 18A, но отстает по плотности на 38%

Semianalysis Smic техпроцесс Kirin 9030 разборка 18a tomshardware.com

SemiAnalysis опубликовала первый разбор чипа из своей новой собственной лаборатории, сосредоточившись на минимальном локальном шаге металлизации в техпроцессе SMIC 7 нм третьего поколения на уровне 32,5 нм. — tomshardware.com

Компания SemiAnalysis опубликовала результаты первого разбора чипа, проведенного в ее новой собственной лаборатории. Анализ сфокусирован на минимальном локальном шаге металлизации в техпроцессе SMIC 7 нм третьего поколения, который составляет 32,5 нм, что меньше, чем шаг в 36 нм, используемый в чипах Intel Panther Lake на техпроцессе 18A, которые уже поставляются на рынок. Анализ проводился на процессоре HiSilicon Kirin 9030, который используется в смартфонах Huawei Mate 80 и создан по техпроцессу N+3. По оценке SemiAnalysis, техпроцесс N+3 отстает от библиотеки высокой плотности Intel 18A на 38%. Лаборатория инжиниринга и оценки разборки SemiAnalysis (STEEL) открылась в Хиллсборо, штат Орегон, и создана для конкуренции с TechInsights в области обратной разработки передовых узлов. Шаг металлизации в Panther Lake составляет 36 нм, но техпроцесс 18A в целом поддерживает минимальный шаг металлизации в 32 нм. В случае с Panther Lake компания Intel решила ослабить шаг, поскольку маршрутизация питания через обратную сторону подложки — через PowerVia — освобождает металлическую структуру на лицевой стороне для сигнальной разводки. Intel заявляет, что это дает примерно на 10% более высокую плотность и более свободные шаги на лицевой стороне. Именно так узел, построенный на транзисторах GAA RibbonFET и питании с обратной стороны, может использовать более широкий локальный шаг, чем китайский техпроцесс на DUV, и при этом сохранять значительный общий отрыв. SMIC достигла 32,5 нм без использования EUV-литографии, полагаясь на DUV-оборудование и квадруплетное мультишаблонное травление, требующее дополнительных проходов маскирования и травления. Подсчитывая транзисторы на единицу площади, SemiAnalysis оценила N+3 в 113,4 млн на квадратный миллиметр, что немного выше, чем у зрелого техпроцесса TSMC N6 (107,7 млн), и значительно ниже, чем у 18A. SMIC добилась этого, используя все доступные трюки для повышения плотности без EUV: два ребра на транзистор, контакты, расположенные непосредственно над активными затворами, и одинарные диффузионные разрывы между ячейками. Каждое из этих обходных решений, очевидно, увеличивает сложность и стоимость, и потолок техпроцесса N+3 в конечном итоге демонстрирует огромный компромисс. Флагманское ядро процессора Kirin 9030 Pro работает на частоте 2,75 ГГц и соответствует производительности ядра Cortex-X2 от Arm образца 2021 года, что ставит чип примерно на один уровень с флагманами Android трехлетней давности и позади текущих моделей от Apple, Qualcomm, MediaTek и Samsung. Дорожная карта Huawei действительно указывает на цель в 5 ГГц к 2031 году, но, как отмечает SemiAnalysis, это «далеко за пределами того, что может обеспечить одно только планарное масштабирование». SemiAnalysis сообщила, что потратила последние 18 месяцев на строительство лаборатории и уже получила доход от анализа кремния для центров обработки данных. «Мы уже получили доход от разборки передовых чипов для ЦОД, включая наше недавнее обратное проектирование оптического движка CPO и 3D-стека EIC крупного клиента TSMC» Компания нацеливается на базирующуюся в Оттаве TechInsights, которую поддерживает частный капитал, в том числе Oakley Capital и CVC Growth. SemiAnalysis утверждает, что ее конкурент выставлен на продажу и в результате недоинвестировал в оборудование, хотя это официально не подтверждено. Разборка также показала, что Kirin 9030 Pro использует память Samsung LPDDR5X, при этом в вариантах с 16 ГБ также обнаруживается DRAM от китайского производителя CXMT.

Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.

В тренде:


Похожие новости: