Финансовый директор Intel Дэвид Зинснер считает, что улучшение технологического процесса 14A является самым быстрым в истории компании со времен запуска 22‑нанометрового узла в 2012 году. Такое заявление топ-менеджер сделал на технологической конференции Deutsche Bank 2026 года, где обсуждалась плотность дефектов данного техпроцесса. Плотность дефектов технологии измеряет количество дефектов или загрязнений на единицу площади пластины и обычно выражается числом дефектов на квадратный сантиметр.
Финансовый директор Intel Дэвид Зинснер: компания проектирует продукты для технологического узла 14A
Технологический процесс Intel 14A играет ключевую роль в дорожной карте компании. Под руководством сначала бывшего гендиректора Патрика Гелсингера, а теперь Лип‑Бу Тана, Intel стремится конкурировать с Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) в сфере производства микросхем по контракту на мировом рынке.
Ранее в этом году, в июле, Intel подтвердила, что процесс 14A должен выйти на серийное производство в 2028 году, а рискованное производство начнётся в 2027-м. Прежде компания указывала, что рискованное производство запланировано на 2028 год. Новые комментарии Зинснера прозвучали почти через год после того, как в 2025 году он заявил: «Если сравнивать 14A по степени зрелости с 18A на том же этапе, мы выглядим лучше по производительности и выходу годных изделий».
Спустя год финансовый директор Intel утверждает, что плотность дефектов техпроцесса 14A снижается теми же темпами, что и у 22‑нанометрового процесса. 22‑нанометровый узел Intel стал историческим, так как в нём впервые была применена технология FinFET‑транзисторов.
Зинснер также сообщил, что Intel начала проектирование первых продуктов на базе 14A. Эти слова важны, поскольку свидетельствуют о возможном высоком интересе заказчиков к технологии. Техпроцесс 14A во многом зависит от успеха контрактного бизнеса Intel; руководство ранее предупреждало, что отсутствие спроса может создать проблемы для данной технологии.
Параллельно с работой над 14A компания разрабатывает второе поколение этой технологии — 14A2. Сообщается, что этот вариант использует как лицевую, так и обратную сторону кристалла для подачи питания. Такой переход вызван падением напряжения в проводниках, передающих сигналы внутри чипа, из‑за уменьшения размеров, свойственного передовым техпроцессам.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Ramish Zafar
