Корейский чип-гигант Samsung может перепрофилировать одну из производственных линий на строящемся объекте для исследований и разработок, чтобы выпускать базовые логические кристаллы для своих микросхем памяти HBM. Эта информация поступила от отраслевых источников, на которые ссылается ZDNet; издание также отмечает, что, поскольку открытие объекта запланировано примерно через два года, планы могут быть скорректированы.
Samsung намерена выпускать базовый кристалл памяти HBM по технологии 2-нанометрового производства для NVIDIA, сообщает издание
Конструкция микросхем памяти HBM, используемых в основном в вычислительных приложениях ИИ, требует размещения нескольких кристаллов DRAM друг над другом. По мере роста требований к производительности вычислительной инфраструктуры конструкция этих чипов также развивается. Наряду с количеством слоёв DRAM, уложенных друг на друга, ещё одним ключевым элементом, который совершенствуется, является базовый кристалл в микросхемах HBM.
Первое обновление базового кристалла произошло, когда производители перешли на память HBM3 и HBM3E. В этом обновлении производители впервые перешли на узловые процессы контрактного производства микросхем (IC foundry) для базового кристалла, поскольку скорость передачи данных и частота выводов значительно возросли по сравнению с предыдущим поколением микросхем памяти. В результате базовый кристалл стал опираться на логические узлы размером от 20 нанометров до 12 нанометров.
Следующий сдвиг произошёл с микросхемами памяти HBM4, которые сейчас используются в новейших продуктах ИИ, таких как чипы NVIDIA Rubin. Его вызвали высокие скорости передачи данных, достигнутые в HBM3E, а также более широкие шины и большее количество сквозных кремниевых переходов (TSV). Эти изменения привели к тому, что такие контрактные производители, как TSMC и Samsung Foundry, взяли на себя роль изготовления базового кристалла чипов HBM.
Теперь, согласно отчёту ZDNet, Samsung заинтересована в перепрофилировании производственной линии на своих строящихся объектах исследований и разработок в промышленной зоне Кихын в Корее. Эта линия может использоваться для изготовления базовых кристаллов HBM с помощью технологии 2-нанометрового производства, говорится в отчёте. Там также отмечается, что базовые кристаллы могут предназначаться для ИИ-чипов NVIDIA, а линия, которая может быть использована для этой цели, — это NRD-K Line 2.
Ранее в этом году Samsung объявила, что будет использовать технологию 4-нанометрового производства для микросхем памяти HBM4. Наряду с Samsung, SK hynix также будет сотрудничать с контрактным производителем для своих чипов HBM — компания объединилась с TSMC. TSMC предлагает как зрелый узел N12, так и передовой узел N5 в качестве вариантов для создания микросхем памяти HBM. Третий игрок в индустрии памяти, Micron, также заключил партнёрство с TSMC для своих микросхем памяти HBM4.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Ramish Zafar
