Илон Маск изначально стремился к беспрецедентной степени вертикальной интеграции в полупроводниковой сфере в рамках сверхамбициозного совместного проекта Terafab компаний Tesla и SpaceX.
Тем не менее, мегамиллиардер только что значительно повысил ставки, добавив в этот символический кремниевый котел еще и амбиции в области памяти.
Tesla опубликовала вакансию инженера по интеграции процессов памяти для Terafab, который будет отвечать за «интеграцию технологических процессов для DRAM и перспективных технологий памяти».
Для тех, кто не в курсе: Terafab — это амбициозное совместное предприятие Tesla и SpaceX, сфокусированное на полупроводниках, имеющее серьезную технологическую поддержку со стороны Intel, которое нацелено на выпуск 1000 гигаватт (или 1 тераватта) вычислительных мощностей ИИ в год.
Разумеется, проект Terafab находится пока на начальной стадии: 16,8 миллиарда долларов выделено на строительство полупроводникового комплекса в округе Граймс, штат Техас, который в перспективе займет площадь в 100 миллионов квадратных футов.
В основе Terafab лежит задача преодолеть фрагментацию, ставшую отличительной чертой производства полупроводников за последние несколько десятилетий. Для этого все разрозненные процессы планируется объединить под одной крышей, включая генерацию масок и литографию, передовую упаковку чиплетов и тестирование, что позволит сократить цикл разработки чипов с текущих 6–9 месяцев до нескольких недель.
Это подводит нас к сути сегодняшней темы. Tesla опубликовала вакансию инженера по интеграции процессов памяти для Terafab с возлагаемыми обязанностями:
- Обеспечивать сквозную интеграцию процессов для структур ячеек DRAM, начиная от проектирования конденсатора до полного исполнения технологического маршрута и готовности к массовому производству (HVM).
- Определять схемы интеграции для перспективных узлов DRAM (полшага менее 20 нм).
- Разрабатывать маршруты интеграции ячеек памяти, оптимизируя плотность емкости, контроль утечек и характеристики регенерации.
- Работать с технологическими командами (травление, осаждение, имплантация, CMP) для определения технологических окон для специфических модулей памяти: изоляция STI, формирование словарных линий, контакт к узлу хранения, диэлектрик конденсатора и структуры пластины ячейки.
- Взаимодействовать с командами проектировщиков схем памяти для верификации запасов усилителей считывания, временных параметров регенерации и целевых частот устройств.
- Курировать разработку интеграции для перспективных технологий памяти (MRAM, RRAM или 3D-DRAM) по мере расширения дорожной карты памяти Terafab.
Данная вакансия свидетельствует о том, что проект Terafab всерьез нацелен на решение текущего дефицита памяти, что имеет серьезные последствия для олигополии Samsung, SK hynix и Micron.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Rohail Saleem
