DIGINEWS

Новости: DRAM

DRAM – динамическая память доступа, основной тип оперативной памяти компьютеров. Используется для хранения данных и программ во время работы системы.

SK Hynix планировала удвоить объем памяти еще до того, как Дженсен Хуанг нацарапал «Пожалуйста, сделайте больше» на кремниевой пластине

SK hynix планировала удвоить производство памяти к 2030–2031 гг. еще до просьбы главы NVIDIA Дженсена Хуанга. Китайские заводы сыграют ключевую роль в расширении мощностей DRAM до 1 млн пластин в месяц. — wccftech.com

Sk Hynix Nvidia Dram память расширение производство wccftech.com
Железо
05.06.2026
Ramish Zafar

DRAM, Nvidia, SK hynix, wccftech.com, память, производство, расширение

Отраслевая коалиция призывает администрацию Трампа к срочным мерам: экстремальное потребление памяти дата-центрами ИИ угрожает другим отраслям

Коалиция девяти торговых ассоциаций США призвала администрацию Трампа решить проблему дефицита микросхем памяти, вызванного ИИ, предупредив, что резкий рост цен на DRAM и ограниченное предложение могут увеличить расходы на потребительскую электронику, автомобили, медицинские устройства и широкополосную инфраструктуру, нарушив цепочки поставок как минимум до 2027 года. — tomshardware.com

дефицит памяти ии Dram Hbm Chips Act tomshardware.com
ИИ
05.06.2026
Etiido Uko

chips act, DRAM, HBM, tomshardware.com, дефицит памяти, ИИ

Раз в 20 лет: полупроводниковая индустрия Китая на подъеме на фоне трансформации рынка памяти под влиянием ИИ

Раз в 20 лет: полупроводниковая индустрия Китая переживает подъем на фоне трансформации рынка памяти под влиянием ИИ. Мировой рынок полупроводников приближается к $1 трлн, достигнув $791,7 млрд в 2025 году и прогнозируясь на уровне $975 млрд в 2026 году. — pandaily.com

полупроводники китай ии память рынок Dram pandaily.com
Железо
05.06.2026
Pandaily

DRAM, pandaily.com, ИИ, Китай, память, полупроводники, рынок

Samsung тизерит HBM5 с новой технологией Heat Block Path, отвечая на «охлаждающий» ход iHBM от SK Hynix

Samsung готовится к разработке HBM5, планируя интегрировать новую тепловую функцию HPB в стандарт DRAM. Компания представляет дизайн HBM5, соревнуясь с SK Hynix и Micron, которые также работают над будущими стандартами HBM для ИИ-центров обработки данных. — wccftech.com

Samsung Hbm5 Dram Hpb Sk Hynix память wccftech.com
Железо
03.06.2026
Hassan Mujtaba

DRAM, hbm5, hpb, Samsung, SK hynix, wccftech.com, память

SK Hynix представила память HBM4E на Computex: 48 ГБ в 12-слойной сборке и рекордная пропускная способность 4 ТБ/с

Гонка HBM набирает обороты: SK Hynix представляет HBM4E с увеличением плотности на 33% и пропускной способностью на 38%, нацеливаясь на 4 ТБ/с для чипов ИИ. NVIDIA и AMD будут использовать HBM4 в Rubin и MI400. Также показаны stacked NAND и 96 ГБ LPCAMM2. — wccftech.com

Hbm4e Sk Hynix Dram пропускная способность Nand Lpcamm2 wccftech.com
Железо
03.06.2026
Hassan Mujtaba

DRAM, hbm4e, lpcamm2, NAND, SK hynix, wccftech.com, пропускная способность

Рост цен на iPhone 18 Pro может быть вызван не только подорожанием DRAM, но и этим обновлением камеры

Apple сталкивается с нехваткой DRAM и ростом цен на компоненты, включая новую камеру с переменной диафрагмой для iPhone 18 Pro, которая может подорожать на 50%. Это усложняет сдерживание цен на флагманы. — wccftech.com

Apple Iphone 18 Pro Dram камера A20 Pro wccftech.com
Гаджеты
29.05.2026
Omar Sohail

a20 pro, Apple, DRAM, iphone 18 pro, wccftech.com, камера

Samsung построит во Вьетнаме завод по тестированию полупроводников за 1,5 млрд долларов, чтобы решить проблему дефицита «legacy memory»

Завод Samsung во Вьетнаме: $1,5-миллиардное предприятие по тестированию полупроводников в провинции Тхайнгуен будет проверять дефицитную устаревшую DRAM и NAND память с ноября 2027 года. Завод нацелен на дефицит чипов памяти, возникший из-за перенаправления мощностей пластин Samsung и SK Hynix на высокоскоростную память для ИИ. — techtimes.com

Samsung вьетнам тестирование чипов дефицит памяти Dram ии techtimes.com
Железо
28.05.2026
Allen Lee

DRAM, Samsung, techtimes.com, вьетнам, дефицит памяти, ИИ, тестирование чипов

Micron предупреждает: дефицит памяти сохранится после 2026 года из-за того, что спрос на ИИ опережает возможности поставок HBM, DRAM и NAND

Американский гигант Micron прогнозирует, что дефицит памяти HBM, NAND и DRAM сохранится дольше 2026 года. Эти выводы были озвучены JPMorgan после презентации Micron на конференции TMC. Компания ожидает, что спрос ИИ будет поддерживать дефицит. — wccftech.com

Micron Hbm Dram Nand дефицит памяти ии wccftech.com
Железо
25.05.2026
Ramish Zafar

DRAM, HBM, Micron, NAND, wccftech.com, дефицит памяти, ИИ

768 ГБ дешевой памяти Intel Optane DIMM для запуска LLM с 1 триллионом параметров на системе с одной видеокартой

Пользователь Reddit добился успеха, запустив LLM с 1 триллионом параметров на рабочей станции, используя модули Optane PMem DIMM в качестве оперативной памяти, что вызвало ажиотаж в сообществе. — tomshardware.com

Optane Llm Dram Cxl инференс память tomshardware.com
ИИ
23.05.2026
Mark Tyson

cxl, DRAM, LLM, optane, tomshardware.com, инференс, память

Завод Micron в Вирджинии начал производство самых передовых DRAM-памяти в Америке

Micron наращивает производство DDR4 на фоне неожиданного дефицита старого стандарта памяти. Компания запускает технологию 1α в Вирджинии, чтобы обеспечить поставки для автопрома и других отраслей. — tomshardware.com

Micron Ddr4 Dram производство вирджиния Chips Act tomshardware.com
Новости цифры
23.05.2026
Luke James

chips act, DDR4, DRAM, Micron, tomshardware.com, вирджиния, производство