Поскольку гибридное соединение (hybrid bonding) стало новостью как предпочтительный метод соединения для чипов памяти следующего поколения, ослабление стандартов Советом по разработке электронных устройств (JEDEC) может привести к тому, что Samsung и SK hynix откажутся от этой технологии для памяти HBM4, как сообщает отчет корейской прессы. Предыдущие стандарты определяли толщину памяти HBM следующего поколения в 900 микрометров, но новые стандарты могут позволить увеличить эту толщину до 1000 микрометров.
Ослабление стандартов может заставить производителей отказаться от гибридного соединения для HBM следующего поколения, сообщает отчет
Слухи об интересе SK hynix к гибридному соединению появились в апреле, когда отчет утверждал, что корейская компания проверила 12-слойный стек HBM с гибридным соединением и, как ожидалось, начнет производство с использованием этой технологии для своих чипов памяти HBM4.
Гибридное соединение разрабатывается в ответ на потребности чипов памяти следующего поколения, требующих большего количества слоев DRAM. В то время как традиционные чипы HBM полагаются на термическое соединение (heat bonding), которое включает нанесение подложки (underfil) и контактных площадок (bumps) под каждый чип DRAM, а затем использование тепла и давления для соединения стека.
Согласно сегодняшнему отчету, предоставленному ZDNet, Samsung и SK hynix могут отказаться от гибридного соединения для чипов HBM4 и начать использовать эту технологию с HBM4E вместо этого.
ZDNet повторяет свой предыдущий отчет о том, что Совет по разработке электронных устройств (JEDEC) рассматривает возможность увеличения стандарта толщины HBM как причину смены стратегии Samsung и SK hynix.
В марте издание сообщало, что организация рассматривает возможность увеличения допустимой толщины стека HBM4 с текущих 775 микрометров до 825 или 900 микрометров. В этом отчете добавляется, что для HBM5 стандарт толщины может быть ослаблен с текущих 900 микрометров до 1000 микрометров. Также отмечается, что поскольку крупные заказчики, такие как NVIDIA, отложили свои требования к HBM с большим количеством слоев, Samsung и SK hynix получают дополнительный стимул отложить внедрение этой технологии.
ZDNet цитирует источник, который утверждает, что обсуждения по поводу 16-слойных стеков HBM неактивны, и поэтому даже продукты HBM4E могут остаться на 12 слоях.
Тем временем обе компании заинтересованы в использовании устройств рассеивания тепла для получения преимуществ в охлаждении, предлагаемых гибридным соединением. Гибридное соединение улучшает теплоотвод, поскольку устраняет подложку (underfil), которая действует как теплоизолятор. Источники ZDNet добавляют, что из-за роста числа входных/выходных терминалов в HBM5E гибридное соединение придется использовать при производстве этих чипов.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Ramish Zafar
