Ожидается, что в дорожной карте технологических процессов Intel появится оптимизированная версия узла 14A с двусторонней архитектурой.
Рассматривается Intel 14A Gen2 для противостояния технологиям TSMC и Samsung 1.4 нм, предлагая улучшенную зрелость техпроцесса и двустороннюю архитектуру
TSMC и Samsung накаляют конкуренцию в литейном производстве своими предложениями на уровне 1.4 нм в ближайшие годы. TSMC запустит свои фабрики A14 в следующем году, а Samsung нацелена на 2029 год для массового производства своей технологии 1.4 нм. Тем временем Intel готовится к запуску своей прорывной технологии 14A в следующем году, в то время как внешние заказчики выстраиваются в очередь, чтобы ознакомиться с возрожденным литейным и производственным бизнесом Chipzilla.
По мере развития событий Intel рассматривает обновления своей дорожной карты технологических процессов. Эти обновления в основном направлены на предстоящее противостояние с TSMC и Samsung. Среди обновлений узлов есть совершенно новое дополнение, которое, по данным ETNews, называется 14A2. Новая технология станет усовершенствованием стандартной технологии 14A.
В Intel 14A используется PowerDirect, добавляющий сети распределения питания с обратной стороны (BSPDN). Узел 14A2 будет иметь двустороннюю архитектуру, используя подачу питания с обеих сторон — лицевой и обратной. Шаг M0 для базового узла 14A будет уменьшен до 28 нм, но 14A2 уменьшит размер шага до 21 нм.
По данным отраслевых источников, Intel планировала применить ‘PowerDirect’, технологию, предназначенную для сетей распределения питания с обратной стороны (BSPDN), к своему базовому 1.4-нм техпроцессу, 14A; однако, по сообщениям, она рассматривает внедрение ‘двусторонней’ архитектуры, которая использует питание с обеих сторон для последующего процесса 14A2.
по материалам ETNews
Это станет возможным благодаря улучшениям, таким как двойное литографическое формирование (double patterning), которое также обеспечивает прирост плотности. 14A уже готов обеспечить 30%-ное увеличение плотности транзисторов, поэтому мы можем ожидать дальнейшего увеличения плотности с 14A2.
Хотя это поможет в использовании оборудования High-NA EUV, повышая прибыльность на одну машину, размер шага 21 нм сопряжен с некоторыми осложнениями, такими как увеличение сопротивления. nTSV (наносквозные кремниевые переходные отверстия) также не рассчитаны на такую повышенную плотность. Для этого Intel, как сообщается, приняла композитную структуру, которая использует BSPDN в качестве основного источника питания, но также выделяет часть для металлического слоя на лицевой стороне.
Полупроводниковые компании работают на пределе возможностей, поскольку спрос на вычислительные мощности и ИИ выходит из-под контроля. Поскольку TSMC завалена тоннами заказов, производители чипов обращают внимание на другие литейные производства, такие как Intel и Samsung. Intel находится на волне повышенной уверенности, но им еще многое предстоит доказать в полупроводниковом производстве, особенно для внешних заказчиков, и такие продукты, как 18A-P, 14A, и теперь 14A2, находятся под пристальным вниманием.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Hassan Mujtaba
