Гигант полупроводниковой индустрии Intel рассматривает возможность внедрения подачи питания с лицевой и обратной сторон для своей техпроцесса 1.4A из-за ошибок в литографическом формировании рисунка, сообщает отчет. Ограничения в литографии вызваны необходимостью компании догнать тайваньскую TSMC и Samsung Foundry по плотности транзисторов на узле 1.4A. С помощью техпроцесса 1.4A2 компания стремится конкурировать с технологиями производства чипов N2 от TSMC и SF2Z от Samsung.
Отчет: Уменьшение размера цепей вынуждает Intel выбрать двухстороннюю подачу питания для техпроцесса 1.4A2
В производстве чипов подача питания обычно осуществляется через обратную сторону, чтобы уменьшить падение напряжения и улучшить производительность. Маршрутизация питания через обратную сторону, область чипа, где монтируются транзисторы (лицевая сторона), освобождает дополнительное пространство, что повышает плотность транзисторов и вычислительную производительность.
Согласно сегодняшнему отчету, предоставленному ETNews, Intel рассматривает возможность перехода на двухстороннюю подачу питания в своем техпроцессе 1.4. Этот переход будет осуществлен в версии V2 технологии и обусловлен размерами наименьшего межсоединения металла (M0) чипа. ETNews полагает, что если для 14A шаг M0 составит 28 нанометров, то для 14A2 он снизится до 21 нанометра.
В производстве полупроводников шаг M0 — это расстояние между центрами двух металлических линий, которые обычно отвечают за передачу сигналов между транзисторами. Более низкий M0 позволяет разместить больше транзисторов в чипе, и для производства таких цепей более передовые технологии изготовления чипов вынуждены использовать EUV.
Поскольку техпроцесс 14A2 должен обеспечить стандартный для Intel прирост «половинного узла», источники ETNews считают, что компании придется полагаться на технологию двухсторонней подачи питания в этом процессе. Снижая M0 до 21 нанометра в 1.4A2, Intel стремится улучшить экономику использования машин High NA EUV, несмотря на возросшую плотность транзисторов, говорится в отчете.
Однако из-за меньших размеров компания ожидает столкнуться с падением напряжения в своих сквозных кремниевых переходах (TSV), изначально спроектированных для подачи питания с обратной стороны, из-за более высокого сопротивления соединительных проводов. В результате компания, по сообщениям, намерена использовать двухстороннюю подачу питания с техпроцессом 14A2.
Источники добавляют, что поскольку Samsung уже усовершенствовала свою транзисторную архитектуру gate-all-around (GAA), она сталкивается с меньшим количеством проблем с технологиями следующего поколения. Аналогичным образом, TSMC стабилизировала выход своих технологий процесса N2 в 2025 и 2026 годах и к моменту начала рискового производства Intel по 1.4A уже начнет поставлять на рынок продукты на 1.4 нанометра. В результате у Intel мало времени, особенно учитывая, что компания планирует отправить заказчикам дизайн-киты 14A0.9 в октябре 2026 года.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Ramish Zafar
