Крупнейший китайский производитель DRAM, компания ChangXin Memory Technologies (CXMT), по прогнозам Citrini Research, может сравняться по производственным мощностям с Micron уже в 2026 году — если модели аналитиков верны. В случае реализации этого сценария Китай в ближайшие годы станет второй по величине базой производства DRAM в мире.
Модель «снизу вверх» оценивает, что к концу 2026 года CXMT выйдет на объём около 350 000 пластин в месяц (WSPM) — всего на 25 000 WSPM меньше, чем у Micron. Согласно анализу, федеральное правительство побуждает CXMT делиться технологией DRAM с JHICC, Swaysure и дочерней компанией YMTC — XMC, чтобы снизить внутренний дефицит. Все три компании либо уже располагают мощностями по выпуску DRAM, либо создадут их в ближайшей перспективе, говорится в отчёте.
Swaysure завершила строительство фабрики на 140 000 WSPM в Шэньчжэне, а комплекс JHICC в Цзиньцзяне включает чистые помещения на 120 000 WSPM, причём первая очередь на 60 000 WSPM должна получить оборудование к концу 2026 года. YMTC, по прогнозам, также будет эксплуатировать около 50 000 WSPM производства DRAM на фабрике Wuhan Fab 3. Если все эти предприятия начнут работу в ближайшие годы, совокупная мощность Китая по выпуску DRAM достигнет 600 000 WSPM (без учёта фабрик Samsung и SK hynix в Китае), что значительно меньше, чем в Южной Корее, но превышает суммарные показатели Японии, Тайваня и США.
Однако Китай не намерен останавливаться в развитии своей DRAM-индустрии: по данным Citrini, к 2030 году его общая мощность вырастет примерно до 1,41 млн WSPM. Одна лишь CXMT, как ожидается, построит новые производственные мощности в Пекине, Хэфэе и Шанхае, расширив свой потенциал до 950 000 WSPM к 2030 году — при условии, что всё пойдёт по плану.
Модель поставок предполагает, что около 400 000 WSPM выпуска CXMT останутся на техпроцессе D1a, ещё 400 000 WSPM перейдут на D1b, а примерно 150 000 WPM будут производить устройства D1c.
Citrini признаёт: прогнозировать перспективы Китая гораздо сложнее, чем развитие устоявшихся производителей DRAM. С одной стороны, в Китае стремительно расширяется инфраструктура производства, доступно обильное государственное финансирование и происходит передача технологий по указанию правительства. С другой — среди ключевых краткосрочных ограничений остаётся доступность литографического оборудования, особенно если предложенный закон MATCH Act ограничит продажи современных иммерсионных DUV-установок отдельным китайским компаниям.
Однако автор ожидает, что отечественные иммерсионные DUV-сканеры SMEE выйдут в серийное производство примерно в конце 2026 или начале 2027 года после бета-тестирования, а SiCarrier/Yuliangsheng представит собственную готовую к производству платформу DUV в 2028 году. Возможно, с излишним оптимизмом аналитики предполагают, что доступность литографических инструментов не будет ограничивать китайское производство после 2028 года, по крайней мере для зрелых логических и DRAM-техпроцессов. Однако, по понятным причинам, если закон MATCH Act сработает как задумано и нарушит поставки передовых иммерсионных DUV-установок производителям DRAM, расширение производственных мощностей в ближайшие пару лет не состоится, указывается в отчёте.
Тем не менее и SMEE, и SiCarrier потребуется время, чтобы нарастить выпуск своих литографических систем, а производителям DRAM предстоит научиться эффективно их использовать, поэтому мы не стали бы разделять такой оптимизм и не ожидаем, что китайские инструменты обеспечат значительные объёмы DRAM ранее начала 2030-х годов. Главный вывод здесь таков: Китай идёт к тому, чтобы стать крупным производителем DRAM скорее раньше, чем позже.
Citrini Research прогнозирует, что к 2030 году общий спрос на DRAM достигнет 157,5 эксабайт (ЭБ) в год, включая 75 ЭБ товарной DRAM для агентных ИИ-процессоров, 25 ЭБ товарной DRAM для традиционных облачных серверов, 20 ЭБ товарной DRAM для клиентских устройств и 37,5 ЭБ HBM4E и HBM5 для ИИ-ускорителей (15 ЭБ и 22,5 ЭБ соответственно).
В то же время Citrini ожидает, что вся отрасль в 2030 году произведёт лишь около 37,5 ЭБ памяти HBM4E/HBM4 (в основном силами Micron, Samsung и SK hynix) и 91,3 ЭБ товарной DRAM (включая выпуск в Китае), что оставит дефицит в 28,7 ЭБ, или примерно 25%.
Как полагают аналитики Citrini, быстрое расширение производства DRAM в Китае может стать лучшей надеждой отрасли на поддержание относительно низких цен на память, что особенно выгодно для рынка потребительских устройств, чувствительных к стоимости памяти. Однако автор утверждает, что большая часть этих новых мощностей будет удовлетворять внутренний спрос Китая, а не устранять глобальный дефицит. Более того, даже если такие компании, как CXMT, смогут быстрее расширять свои фабрики, дополнительные объёмы в основном будут потреблены внутренними нуждами, согласно Citrini.
Следует отметить, что для увеличения выпуска памяти производителям DRAM требуется больше производственных инструментов, в первую очередь 193-нм иммерсионные сканеры. Однако такие компании, как ASML, Canon и Nikon, не могут быстро нарастить выпуск иммерсионных DUV-систем, поскольку это чрезвычайно сложные машины, содержащие десятки тысяч деталей. Хотя китайские производители памяти, безусловно, возлагают надежды на местных поставщиков, таких как SMEE и SiCarrier, ни один из них ещё не поставил ни одной коммерческой иммерсионной системы, и даже после этого им потребуются годы, чтобы нарастить выпуск таких инструментов.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Anton Shilov
