Китайская компания Naura Technology Group, ключевой отечественный поставщик оборудования для производства полупроводников, утверждает, что разработала двухэтапный процесс травления для производства 3D DRAM-чипов. 3D DRAM-чипы представляют собой следующее поколение DRAM-технологий, поскольку они призваны преодолеть ограничения современных чипов в отношении плотности ячеек.
В статье, опубликованной Naura в журнале IEEE, объясняется прогресс, достигнутый в равномерном травлении 64 слоев 3D DRAM, чтобы сместить фокус на вертикальное производство вместо горизонтальных ограничений, с которыми сталкивается не-EUV-литография.
Китайский производитель чипового оборудования Naura сообщает о прорыве в области травления полупроводников, который может помочь CXMT
Поскольку западные санкции ограничивают продажу передовых машин для производства чипов EUV в Китай, отечественные разработчики чипов все больше внимания уделяют вертикальному аспекту производства и проектирования полупроводников. Основное преимущество EUV-литографии заключается в том, что она позволяет производителям и разработчикам создавать чипы с более тонкими проводящими дорожками и узорами, которые располагаются горизонтально на кремниевой пластине.
Ранее в этом году Huawei вызвала немалый ажиотаж, анонсировав новую технологию проектирования чипов под названием Tau Scaling. В основе этого подхода лежала архитектура Huawei LogicFolding, которая вертикально складывает и укладывает логические схемы для снижения сопротивления, улучшения связности и даже достижения производительности и транзиторной плотности, эквивалентной стандартным 1,4-нанометровым чипам к 2031 году. Благодаря этому необходимость увеличения транзисторной плотности за счет уменьшения размеров схем с помощью EUV заменяется фокусировкой на вертикальном уплотнении.
Компания заявляет, что цикличный двухэтапный процесс травления может улучшить равномерность глубины и высокую селективность — заявляет, что равномерность достигнута «по 64 парам слоев»
Теперь исследования, опубликованные китайской компанией Naura Technology, намекают на то, что страна может использовать аналогичный подход для производства памяти. В них компания описывает метод равномерного травления 64-слойной 3D DRAM-структуры, основанной на слоях кремния (Si) и кремний-германия (SiGe). В дизайне 3D DRAM эти два материала укладываются поочередно, а SiGe удаляется, чтобы освободить место между слоями Si для размещения строковых, битовых линий и затворов внутри так называемого канального пола.
Процесс удаления этих SiGe-слоев называется травлением, и в своей исследовательской работе Naura утверждает, что преодолела традиционные ограничения этого процесса. Эти ограничения включают «поедание» травильными химикатами соседних Si-слоев, нарушая их однородность, оседание побочных продуктов процесса на дне структуры и неспособность химикатов достичь нижних слоев.
Преодоление этих проблем позволит CXMT перейти к 3D DRAM и вертикальному производству, чтобы преодолеть ограничения по плотности транзисторов по горизонтали, с которыми сталкивается оборудование DUV.
Упомянутые выше проблемы относятся к низкой селективности повреждения Si-слоя и микрозагрузке для накопления загрязнений на дне. Их преодоление улучшает равномерность глубины процесса или размер зазора в Si-Si слоях.
В области травления Naura использует двухэтапный процесс. Первый этап включает обдув непредвзятыми (электрически нейтральными) фторными радикалами в SiGe-слоях. Это гарантирует, что травильные материалы нацелены только на SiGe, что приводит к образованию тонкой защитной пленки фторида германия на Si-слое. Второй этап — это продувка химических побочных продуктов с помощью плазменной продувки, которая устраняет микрозагрузку из процесса.
По данным компании, этот процесс позволяет ей достичь селективности травления Si к SiGe более 500:1. Эта скорость подразумевает, что SiGe-слои травятся более чем в 500 раз быстрее, чем Si-слои, для слоя между двумя Si-слоями толщиной 200 нанометров.
По словам компании, скорость потери сопровождается потерей менее 10 ангстрем для кремниевого слоя. Наконец, Naura также утверждает, что структурная однородность превышает 95%, что означает, что нижний слой имеет толщину не менее 190 нанометров, если верхний слой имеет толщину 200 нанометров, «по 64 парам слоев».
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Ramish Zafar
